发明名称 |
半导体装置的制造方法 |
摘要 |
提供半导体装置的制造方法,其不会导致粘合剂膜与半导体芯片的安装位置精度下降,且可实现工艺简化。为此,用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片(1)切片并研磨其内表面,把切片后的半导体芯片粘在粘合剂膜(2)上,把粘合剂膜的表面贴附在切片带(3)上。之后用化学蚀刻除去上述粘合剂膜的从上述各半导体芯片间的间隙处露出的区域。 |
申请公布号 |
CN1174479C |
申请公布日期 |
2004.11.03 |
申请号 |
CN01133922.5 |
申请日期 |
2001.08.20 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
田中一安 |
分类号 |
H01L21/78;H01L21/50;H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/78 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王以平 |
主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于包括下列工序:用预切片法对元件形成结束后的半导体晶片切片并研磨其内表面,形成一片一片的半导体芯片的工序;把分成片的各半导体芯片粘接到用作键合剂的粘合剂膜上,并把粘合剂膜表面贴附到切片带上的工序;以及用化学蚀刻除去上述粘合剂膜中的从上述各半导体芯片间的间隙处露出的粘合剂膜的工序,上述粘合剂膜由热塑性树脂、未硬化的热硬化树脂、未硬化的热硬化树脂和热塑性树脂的混合物、或者向上述热塑性树脂或上述未硬化的热硬化树脂或上述未硬化的热硬化树脂和热塑性树脂中加入玻璃粉、聚合物、银填料的隔片而得到的物质构成,使用有机溶剂、酸性溶液和碱性溶液中的任一种进行上述化学蚀刻。 |
地址 |
日本东京都 |