| 发明名称 |
ZERO-TEMPERATURE-GRADIENT ZERO-BIAS THERMALLY STIMULATED CURRENT TECHNIQUE TO CHARACTERIZE DEFECTS IN SEMICONDUCTORS OR INSULATORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG106609(A1) |
申请公布日期 |
2004.10.29 |
| 申请号 |
SG20010002622 |
申请日期 |
2001.05.03 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
WAI SHING LAU |
| 分类号 |
G01R31/12;H01L21/00;(IPC1-7):G01N25/00;G01R27/26 |
主分类号 |
G01R31/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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