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发明名称 METHOD OF FABRICATING CMOS DEVICE WITH DUAL GATE ELECTRODE
摘要
申请公布号 SG106685(A1) 申请公布日期 2004.10.29
申请号 SG20030002477 申请日期 2003.04.30
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. 发明人 CHEW HOE ANG;ENG HUA LIM;RANDALL CHER LIANG CHA;JIA ZHEN ZHENG;ELGIN QUEK;MEI SHENG ZHOU;DANIEL YEN
分类号 H01L21/336;H01L21/8238;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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