发明名称 Wärmebehandlungseinrichtung und Wärmebehandlungsverfahren
摘要 Es wird eine Wärmebehandlungseinrichtung zum Erwärmen eines Maskensubstrats beschrieben. Ein Maskensubstrat, das mit einer Beschichtungslösung beschichtet wurde, wird auf einer Heizplatte angeordnet, die das Substrat erwärmt. Ein Rahmenteil ist so auf der Heizplatte angeordnet, dass das Rahmenteil einer Seitenoberfläche des Maskensubstrats gegenüberliegt, das auf der Heizplatte angeordnet ist, wenn das Rahmenteil an der Heizplatte angebracht ist, und ein Zwischenraum zwischen dem Rahmenteil und der Heizplatte vorhanden ist, wenn das Rahmenteil an der Heizplatte angebracht ist. Das Rahmenteil unterdrückt die Abstrahlung von Wärme von der Seitenoberfläche des Substrats. Dies führt dazu, dass die Temperaturgleichförmigkeit der Oberfläche des Substrats verbessert werden kann. Weiterhin sammeln sich, da der Zwischenraum zwischen dem Rahmenteil und der Heizplatte vorhanden ist, Teilchen nicht in dem Bereich an. Daher kann ein Anhaften von Teilchen an dem Substrat unterdrückt werden.
申请公布号 DE102004006488(A1) 申请公布日期 2004.10.28
申请号 DE200410006488 申请日期 2004.02.10
申请人 TOKYO ELECTRON LTD., TOKIO/TOKYO 发明人 TAKEI, TOSHICHIKA;KANEDA, MASATOSHI
分类号 H01L21/027;G03F7/16;H01L21/00;H01L21/38;(IPC1-7):G03F7/16 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
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