Verfahren zur Herstellung eines SONOS-Speichers

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines SONOS-Speichers vom Doppel-ONO-Typ, der als Speicherbauelement mit 2-Bit-Betrieb mit asymmetrischer Programmierung arbeiten kann, wobei ein Umkehr-Selbstjustierungsprozess verwendet wird. DOLLAR A Erfindungsgemäß beinhaltet das Verfahren folgende Schritte: Bilden einer dielektrischen ONO-Schicht (500) und einer Pufferschicht mit einem Graben und Separieren der ONO-Schicht in zwei Teile durch selektives Entfernen eines freigelegten Teil derselben unter Verwendung erster Abstandshalter (710) als Ätzmaske; Bilden einer dielektrischen Gate-Schicht (800); Bilden einer leitfähigen Schicht (900) in einem Zwischenraum zwischen Innenwänden des Grabens; Entfernen der freigelegten dielektrischen Gate-Schicht und der Pufferschicht unter Verwendung der ersten Abstandshalter der Ätzschicht und selektives Entfernen eines Teils von jeder der separierten dielektrischen ONO-Schichtteile, wobei die ersten Abstandshalter als Ätzmaske verwendet werden. DOLLAR A Verwendung in der SONOS-Halbleiterspeichertechnologie.