发明名称 |
Verfahren zum Füllen von tiefen Grabenstrukturen mit Füllungen ohne Hohlräume |
摘要 |
Die vorliegende Erfindung stellt Verfahren zum Herstellen von Grabenstrukturen mit Füllungen bereit, die im wesentlichen frei von Hohlräumen sind. Die Füllungen können von einem Linermaterial, wie etwa Polysilizium, aus aufgewachsen werden, das entlang der Seitenwände eines Grabens ausgebildet ist. Zuvor ausgebildete Hohlräume können ausgeheilt werden, indem die Hohlräume freigelegt werden und epitaxiales Silizium aufgewachsen wird.
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申请公布号 |
DE102004012241(A1) |
申请公布日期 |
2004.10.28 |
申请号 |
DE200410012241 |
申请日期 |
2004.03.12 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK |
发明人 |
MATHAD, GANGADHARA S.;RANADE, RAJIV M.;CHAN, KEVIN K.;KULKARNI, SUBHASH B. |
分类号 |
H01L21/205;H01L21/334;H01L21/763;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/824;H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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