发明名称 制备多晶硅颗粒的方法和装置
摘要 本发明涉及制备多晶硅的方法和装置,更具体地说,为了更有效地防止硅沉积在反应气供给装置的出口表面上以及能连续地运转反应器以批量生产多晶硅颗粒,本发明涉及的是通过装备有可提供含有氯化氢蚀刻气体的喷嘴的流化床反应器制备粒状多晶硅的方法和装置。
申请公布号 CN1172743C 申请公布日期 2004.10.27
申请号 CN01140960.6 申请日期 2001.09.26
申请人 韩国化学研究院 发明人 金希泳;朴容起
分类号 B01J8/24;C01B33/021 主分类号 B01J8/24
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 刘金辉
主权项 1.一种通过在流化床反应器中分解与硅粒接触的含硅气体制备多晶硅的方法,其至少减少硅沉积物在反应气体喷嘴出口表面上的积聚,所述方法包括:使不包含硅原子的流态化气体经过气体分配装置并注入到反应区;在所述气体分配装置上方形成硅粒的流化床;经过反应气喷嘴使含硅反应气体注入所述流化床;使含氯化氢的蚀刻气体经过蚀刻气体喷嘴注入,所述蚀刻气体喷嘴基本上同轴围绕着所述反应气体喷嘴,其中所述反应气体喷嘴和所述蚀刻气体喷嘴两者的出口高度高于所述气体分配装置。
地址 韩国大田