具嵌入式栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法

摘要

一种具嵌入式栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法，在一半导体基板上形成隔离区域及源极/漏极区域；在半导体基板上陆续形成第一介电层和第二介电层，利用非等向性蚀刻技术在半导体基板上形成一沟渠，以热氧化技术形成一层氧化硅层，利用非等向性蚀刻技术在沟渠的侧壁上形成第一间隙壁，在沟渠的底壁上形成一层栅极介电层和栅极插塞，并形成金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电极、漏极电极和嵌入式栅极的电极。

主权项

1、一种具嵌入式栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法，其特征在于：它包括如下步骤：a、在一半导体基板上形成隔离区域；b、在所述半导体基板上形成源极/漏极区域；c、在所述半导体基板上陆续形成第一介电层和第二介电层；d、利用非等向性蚀刻技术在所述半导体基板上形成一沟渠；e、利用热氧化技术形成一层氧化硅层；f、利用非等向性蚀刻技术在所述沟渠的侧壁上形成第一间隙壁；g、在所述沟渠的底壁上形成一层栅极介电层；h、形成所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极电极、漏极电极和嵌入式栅极的电极。