发明名称 以覆盖层制造铜内连线的方法
摘要 本发明提供一种制造铜内连线的方法,该方法可在制造时避免发生铜内连线表面凹陷而造成金属线细化及电阻值升高的问题。本发明提出的方法主要是利用一覆盖层选择性地覆盖在双层嵌入结构的正上方,用以平衡铜与周围材质间研磨速率的差距。这样,在进行化学机械研磨时可以获得一平坦的内连线表面。
申请公布号 CN1173395C 申请公布日期 2004.10.27
申请号 CN01101209.9 申请日期 2001.01.05
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 蔡腾群;许嘉麟;魏咏宗;杨名声
分类号 H01L21/768;H01L21/74 主分类号 H01L21/768
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 任永武
主权项 1.一种形成铜内连线的方法,该方法至少包括下列步骤:提供一结构,该结构至少包括一铜内连线;沉积一介电层在该铜内连线表面上;蚀刻该介电层以形成一双层嵌入开口;共形地沉积一阻挡层于该双层嵌入开口表面:沉积一铜金属层于该阻挡层之上,以填满该双层嵌入开口;沉积一覆盖层于该铜金属层表面上;沉积一光致抗蚀剂层于该覆盖层表面上;将图案转移至该光致抗蚀剂层以形成一光致抗蚀剂掩膜,其中该光致抗蚀剂掩膜位于该双层嵌入开口的正上方,且该光致抗蚀剂掩膜的宽度大约等于该双层嵌入开口的宽度;进行蚀刻以除去该覆盖层未被该光致抗蚀剂掩膜遮蔽的部分,该覆盖层的剩余部分位于该双层嵌入开口的正上方;除去该光致抗蚀剂掩膜:进行第一次化学机械研磨除去该覆盖层的剩余部分与部分铜金属层,以裸露出部分阻挡层;以及进行第二次化学机械研磨除去部分阻挡层与部分铜金属层,以裸露出部分介电层表面。
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号