非挥发性存储元件的结构

摘要

本发明公开了一种非挥发性存储元件的结构，由一栅极、一位线以及一字符线所组成，其中位线是由一埋藏扩散导线与位于埋藏扩散导线上的一提高的导体层所组成，栅极则位于位线的提高的导体层之间；而字符线约与位线垂直，且位于栅极上并跨过位线的提高的导体层。而在位线的提高的导体层侧壁还具有一第一间隙壁并且在字符线侧壁还具有一第二间隙壁。

主权项

1.一种非挥发性存储元件的结构，至少包括：复数个栅极，位于一基底上；复数条位线，位于该些栅极之间，其中每一位线的结构至少包括：一埋藏扩散区域，位于该些栅极之间以及该基底的一顶表面下内；一提高的导体层，位于该些栅极之间，其中该提高的导体层与该埋藏扩散区域电性相连，且被一第一间隙壁所围绕；复数条字符线，与该些位线垂直，且位于该些栅极上并跨过该些位线的该提高的导体层。