发明名称 制造半导体模块的方法以及按照该方法制造的模块
摘要 一个未分割的半导体晶片(1)通过其连接侧直接与热塑性薄膜(2)连接,其热膨胀系数与半导体材料的热膨胀系数几乎一样低。在薄膜(2)空出的下面通过热压成形出突起(21),它们用作为弹性外部接线(25)并经通孔(22)导电地与内部接线(24)或晶片连接元件(11)连接。通过分割完成触点连接的晶片,产生单个的半导体模块或半导体-插件,它们能与塑料突起(21)在印刷电路板上触点连接。这样,用一种简单的方法就使在中间载体上和在印刷电路板上中间载体进行触点连接成为可能,此时不用附加补偿材料就有可能使半导体与印刷电路板之间有耐温度变化的连接。
申请公布号 CN1541412A 申请公布日期 2004.10.27
申请号 CN01819689.6 申请日期 2001.11.29
申请人 西门子迪美蒂克股份公司 发明人 M·希尔曼;J·范普姆布罗克
分类号 H01L23/13;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/538 主分类号 H01L23/13
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴立明;张志醒
主权项 1.通过以下步骤从至少包括一个半导体器件的半导体晶片制造半导体模块的方法,其步骤的顺序可以有所不同:a)半导体晶片(1)通过它的连接面直接与热塑薄膜(2)的上面连接,该薄膜的热膨胀系数与半导体材料的热膨胀系数几乎一样低;b)在薄膜(2)的上面形成扁平的金属内部接线(24),并与晶片(1)的连接元件(11)连接;c)在薄膜(2)的下面通过热压形成突起(21),其末端面构成外部接线(25);d)在薄膜的下面与上面之间产生通孔(22);e)在通孔(22)中和在薄膜(2)的下面以及在突起(21)上,沉积金属层(23)并进行结构化,使它相应形成从外部接线(25)经通孔(22)到内部接线(24)的印制电路,和f)在最后一个步骤中,把用薄膜(2)完成触点连接的晶片(1)分割成单个的半导体模块(10)。
地址 德国纽伦堡