| 发明名称 | 单片式磁控管溅射装置 | ||
| 摘要 | 本发明的单片式磁控管溅射装置，为将磁场施加到形成放电空间的溅射室(11)内，将磁场发生装置配置在溅射室的上方，在该溅射室(11)内上部配置有靶(21)，以便接受由所述磁场发生装置所产生的磁场。另外，在所述溅射室(11)，通过在构成其底部的隔壁(30)的开口部(32)而连设有盘片运送室(12)，在该盘片运送室(12)内，设有载放用来形成溅射膜的盘片基板(31)并运送到所述溅射室(11)开口部(32)、同时使所述盘片基板(31)在其面内予以旋转的盘片推动器(34)，在所述溅射室(11)内，再设有与载放在该盘片推动器(34)上的所述盘片基板(31)的上面中心部接触、与所述盘片基板(31)的旋转一起进行旋转的旋转中心罩(27)。本发明无需复杂的机构和工序，就可在盘片基板上安装罩，且使盘片基板绕其中心轴旋转进行溅射。 | ||
| 申请公布号 | CN1173071C | 申请公布日期 | 2004.10.27 |
| 申请号 | CN98800979.X | 申请日期 | 1998.07.17 |
| 申请人 | 芝浦机械电子装置股份有限公司 | 发明人 | 池田治朗;木乃切恭治 |
| 分类号 | C23C14/56;C23C14/50;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/04;G11B7/26 | 主分类号 | C23C14/56 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种单片式磁控管溅射装置，其特征在于，包括：在内部形成气密性的放电空间的溅射室；为将磁场施加到该溅射室内而配置在所述溅射室上方的磁场发生装置；为接受由该磁场发生装置产生的磁场而配置在所述溅射室内上部的靶；通过在构成所述溅射室底部的隔壁所形成的开口部而形成连设的气密空间的盘片运送室；设在该盘片运送室内、载放用来形成溅射膜的盘片基板并运送到所述溅射室开口部、同时使所述盘片基板在其面内予以旋转的盘片推动器；与载放在该盘片推动器上的所述盘片基板的上面中心部接触、可与所述盘片基板的旋转一起旋转地设在所述溅射室内的旋转中心罩。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横滨市 | ||