发明名称 |
半导体集成电路装置及使用它的电子卡 |
摘要 |
提供一种半导体集成电路装置,即使集成电路处于没有连接到接地点和电源的状态,也可保护其集成电路不被损坏。该半导体集成电路装置包括:第1导电类型的第1半导体区域(PSUB);具有形成在第1半导体区域(PSUB)中的第2导电类型的源/漏区(D)和在源/漏区间的沟道区上通过栅绝缘膜形成的栅电极(G)的晶体管(N1);电连接到晶体管的漏区(D)的输出端子(PAD);邻接晶体管(N1)的源/漏区(D)且在第1半导体区域(PSUB)中形成的第2导电类型的第2半导体区域(DN),所述笫2半导体区域连接到晶体管(N1)的栅电极(G)。 |
申请公布号 |
CN1540755A |
申请公布日期 |
2004.10.27 |
申请号 |
CN200310124983.1 |
申请日期 |
2003.11.28 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
泷泽诚 |
分类号 |
H01L27/04;H01L27/105;G06K19/07;H01L23/00 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种半导体集成电路装置,包括:第1导电类型的半导体区域;具有第2导电类型的源/漏区的第1绝缘栅型场效应晶体管,所述第2导电类型的源/漏区形成在所述第1导电类型的半导体区域中且连接到输出端子;以及邻接所述源/漏区且在所述第1导电类型的半导体区域中形成的第2导电类型的半导体区域,所述第2导电类型的半导体区域连接到所述绝缘栅型场效应晶体管的栅极。 |
地址 |
日本东京都 |