| 发明名称 | 一种特别适用于光学、电子学或光电子学器件的基片加工方法和由该方法获得的基片 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种加工基片的方法，该基片包括一构成机械支承的一层来承载的薄层；这一加工方法特别适用于光学、电子学或光电子学器件。根据本发明的方法包括以下步骤：自源基片(6)上分离一层材料，以形成薄层(2)；而后在薄层(2)上沉积材料制备一厚层(4)，以形成构成机械支承的所述层。 | ||
| 申请公布号 | CN1541405A | 申请公布日期 | 2004.10.27 |
| 申请号 | CN01820799.5 | 申请日期 | 2001.11.26 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | B·吉斯内;F·勒泰特 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/302;H01L29/165;H01L29/205;H01L29/267 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟;彭益群 |
| 主权项 | 1、一种加工基片的方法，该基片包括一薄层，它由构成机械支承的一层所承载；这种基片特别适用于光学、电子学、或光电子学器件；该方法包括以下步骤：·从源基片(6)上分离一层材料，以形成所述薄层(2)；·在所述薄层(2)上由沉积材料制备一厚层(4)，以形成构成所述机械支承的层。 | ||
| 地址 | 法国贝尔内 | ||