| 发明名称 | 减少金属线缺陷的改进工艺 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种减少金属线缺陷的改进工艺。包括：1)减小Al层上下的Ti/TiN厚度；2)同时减小Al层厚度，降低溅射温度；3)提高Al靶中Cu的含量；4)提高刻蚀后金属线的退火温度，使Ti和Al反应生成TiAl<SUB>3</SUB>在HDP－CVD之前完成。通过以上改进，可以抑制Al空洞的大量出现。本技术工艺简单，操作方便，产量高，非常适用于大生产；同时也提高了互连的可靠性和成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN1540728A | 申请公布日期 | 2004.10.27 |
| 申请号 | CN200310108280.X | 申请日期 | 2003.10.30 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司 | 发明人 | 缪炳有 |
| 分类号 | H01L21/3205;H01L21/321 | 主分类号 | H01L21/3205 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 滕怀流;陶金龙 |
| 主权项 | 1、一种减少金属线缺陷的改进工艺，其特征在于：1)上下层Ti/TiN溅射：厚度为(5-15)/(20-30)纳米；2)Al层溅射：Al靶材成分为Al-Cu，其中Cu占0.8-1.2％质量比，溅射温度为250-350℃，溅射膜厚度为400-440纳米；3)退火处理：刻蚀后金属线退火，温度为420-460℃。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东碧波路518号B楼303室 | ||