发明名称 |
具有电容器的半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种用于存储单元的半导体器件,包括:有源矩阵,由晶体管和在晶体管四周形成的第一绝缘膜提供;电容器结构,形成在第一绝缘膜上,由底电极,位于底电极上的电容器薄膜和形成在电容器薄膜上的上电极构成;第二绝缘层,形成在晶体管和电容器结构上;金属互连,形成在第二绝缘层和有源矩阵上,使晶体管和电容器结构电连接;以及氢阻挡层,形成在金属互连上。其中所述氢阻挡层具有双层结构。 |
申请公布号 |
CN1173407C |
申请公布日期 |
2004.10.27 |
申请号 |
CN00126799.X |
申请日期 |
2000.12.30 |
申请人 |
现代电子产业株式会社 |
发明人 |
梁飞龙;洪锡敬;李承锡;姜南守 |
分类号 |
H01L27/108;H01L23/52;H01L21/8239;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L27/108 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1、一种用于存储单元的半导体器件包括:有源矩阵,由晶体管和在晶体管四周形成的第一绝缘膜提供;电容器结构,形成在第一绝缘膜上,由底电极,位于底电极上的电容器薄膜和形成在电容器薄膜上的上电极构成;第二绝缘层,形成在晶体管和电容器结构上;金属互连,形成在第二绝缘层和有源矩阵上,并将晶体管电连接到电容器结构;以及氢阻挡层,形成在金属互连上,其中所述氢阻挡层具有双层结构。 |
地址 |
韩国京畿道 |