发明名称 | 液晶显示装置及其制造方法和驱动方法 | ||
摘要 | 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法,在绝缘衬底上形成存储电容的源电极和金属图案,衬底上形成具有掺杂的源极区和漏极区的硅层且源极区和漏极区直接与源电极和金属图案接触,其上形成栅极绝缘膜并在栅极绝缘膜上与金属图案相对形成存储电极。在存储电极上形成钝化膜及其上形成像素电极,像素电极直接与漏极区或金属图案连接。 | ||
申请公布号 | CN1173218C | 申请公布日期 | 2004.10.27 |
申请号 | CN98127172.3 | 申请日期 | 1998.12.30 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑柄厚;黄长元;裵秉成 |
分类号 | G02F1/136;G02F1/1343 | 主分类号 | G02F1/136 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 吕晓章 |
主权项 | 1.一种液晶显示装置,包括:一绝缘衬底;一硅层,形成于衬底上;一栅极绝缘膜,覆盖硅层;一栅电极,形成于栅极绝缘膜上;一存储电极,形成于栅极绝缘膜上;一源电极,接至源极区;一漏电极,接至漏极区;一个层间绝缘膜,覆盖栅电极和存储电极,具有分别露出源极区和漏极区的第一接触孔和第二接触孔,其中源电极和漏电极形成于层间绝缘膜上并且分别通过第一接触孔和第二接触孔接至源极区和漏极区;以及一像素电极,它电连接到漏极区上;其中硅层包括:一掺杂的源极区;一掺杂的漏极区;未掺杂且位于源极区与漏极区之间的第一区;和未掺杂且与漏极区邻接而与第一区隔开的第二区;存储电极位于第二区的对面;其中栅极绝缘膜的厚度是500~3000。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |