光刻处理方法，和由此制造的器件

摘要

用于给器件层提供图案的光刻双曝光处理方法，包括以下步骤：在第一和第二次曝光步骤前，将第一掩模图案(31)和第二掩模图案(32)扩大预选扩张距离，抗蚀剂处理基底的已曝光辐射敏感层以提供相应于所述图案的抗蚀剂已处理特征，借此每个抗蚀剂已处理特征相应其标称尺寸扩大，和通过对所述抗蚀剂已处理特征应用补充抗蚀剂处理，以超过预选收缩的距离收缩所述抗蚀剂已处理特征。

主权项

1.一种光刻处理方法，该方法利用多次曝光将所需图案提供到辐射敏感材料层的靶区，所述图案包括多个特征其中最密集特征以节距P布置，该方法包括：-将所述多个特征分离为第一和第二子集的特征，其构成第一和第二子图案，每个子图案具有节距大于P的最密集特征；特征在于该方法包括-通过扩大所述第一和第二子图案的每个特征，提供第一和第二适配的子图案；-使用按照第一适配的子图案形成图案的辐射束进行所述靶区的第一次曝光，-使用按照第二适配的子图案形成图案的辐射束进行所述靶区的第二次曝光，所述第二次曝光与所述第一次曝光并列记录布置，-抗蚀剂处理已曝光辐射敏感层，以提供中间图案，其包括按照适配的第一和第二子图案结合的特征，和-应用补充抗蚀剂处理来收缩中间图案的特征，以使缩小的特征尺寸与所述所需图案的相应的特征尺寸相配。