发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
提供一种具有高显示品质的液晶显示器件,它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs),同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上,以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而,由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免,由此可获得满意的显示图像。 |
申请公布号 |
CN1540716A |
申请公布日期 |
2004.10.27 |
申请号 |
CN200410044699.8 |
申请日期 |
2000.09.26 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
柴田宽;矶部敦生 |
分类号 |
H01L21/00;H01L21/02;H01L21/82;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/8234;G02F1/136 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
吴立明;张志醒 |
主权项 |
1.一种制造半导体器件的方法,包括下述步骤:在基片上形成岛形半导体膜;在该岛形半导体膜上形成第一绝缘膜;形成岛形栅电极和电容线;形成覆盖上述栅电极和电容线的第二绝缘膜;通过对上述第二绝缘膜进行选择性蚀刻,形成第一接触孔以到达栅电极;在第二绝缘膜上形成与该栅电极相连的扫描线;在该扫描线上形成第三绝缘膜;通过对上述第三绝缘膜进行选择性蚀刻,形成第二接触孔以到达半导体膜;形成与该半导体膜电连接的信号线。 |
地址 |
日本神奈川县 |