发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 提供一种具有高显示品质的液晶显示器件,它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs),同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上,以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而,由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免,由此可获得满意的显示图像。
申请公布号 CN1540716A 申请公布日期 2004.10.27
申请号 CN200410044699.8 申请日期 2000.09.26
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 柴田宽;矶部敦生
分类号 H01L21/00;H01L21/02;H01L21/82;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/8234;G02F1/136 主分类号 H01L21/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴立明;张志醒
主权项 1.一种制造半导体器件的方法,包括下述步骤:在基片上形成岛形半导体膜;在该岛形半导体膜上形成第一绝缘膜;形成岛形栅电极和电容线;形成覆盖上述栅电极和电容线的第二绝缘膜;通过对上述第二绝缘膜进行选择性蚀刻,形成第一接触孔以到达栅电极;在第二绝缘膜上形成与该栅电极相连的扫描线;在该扫描线上形成第三绝缘膜;通过对上述第三绝缘膜进行选择性蚀刻,形成第二接触孔以到达半导体膜;形成与该半导体膜电连接的信号线。
地址 日本神奈川县