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发明名称 A CHEMISTRY FOR ETCHING QUATERNARY INTERFACE LAYERS ON INGAASP MOSTLY FORMED BETWEEN GAAS AND INXGA(1-X)P LAYERS
摘要
申请公布号 EP1470577(A1) 申请公布日期 2004.10.27
申请号 EP20020790128 申请日期 2002.12.13
申请人 MOTOROLA, INC. 发明人 SADAKA, MARIAM, G.;ABROKWAH, JONATHAN, K.
分类号 C09K13/04;H01L21/00;H01L21/306;H01L21/308;H01L21/331;H01L21/337;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/306 主分类号 C09K13/04
代理机构 代理人
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