互补型金属氧化物半导体的半导体集成电路

摘要

数字电路部分中的通过双栅极加工工艺而制成的CMOS反相器，备有其栅极由P型多晶硅形成的P沟道场效应晶体管。该P沟道场效应晶体管的源极接在电源上，且该P沟道场效应晶体管的反向栅极直接接在该源极上。当在低功耗模式下上述电源被切断后，P沟道场效应晶体管便处于不起晶体管之作用的状态。为防止该P沟道场效应晶体管的特性在该模式下变坏，而设置了在该模式下，能将该P沟道场效应晶体管的栅极电压固定为0的下拉开关。

主权项

1.一种半导体集成电路，其中：该半导体集成电路备有P沟道场效应晶体管，该晶体管中有漏极、源极、由P型半导体形成的栅极以及反向栅极，且正常工作时能将电源电压或从该电源电压降低的电压从电源加到上述源极上，还能将表示输入信号的电压加到上述栅极上，还备有一控制电路，它能响应在上述半导体集成电路的低功耗模式下被确定的控制信号，至少来控制上述栅极电压和上述反向栅极电压中之一，以使上述栅极电压不会高于上述反向栅极电压，从而保护处于不起晶体管之作用的状态的上述P沟道场效应晶体管免遭破坏。