| 主权项 |
1.一种铜制程焊垫结构,至少包含:一第一保护层,覆盖于一半导体基材之一最上层金属内连线之上,其中该第一保护层具有复数个第一开口,且该些第一开口露出该最上层金属内连线之复数个区域;一第二保护层,形成于该第一保护层之上,具有复数个第二开口,且分别对应于该些第一开口,以露出该些第一开口;以及复数个焊垫,形成于该些第一开口之上,并位于该些第二开口之中,且该些焊垫与该最上层金属内连线所露出之该些区域电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之铜制程焊垫结构,其中上述之最上层金属内连线系为一铜金属内连线。3.如申请专利范围第1项所述之铜制程焊垫结构,其中上述之第一保护层包含一二氧化矽(SiO2)保护层。4.如申请专利范围第3项所述之铜制程焊垫结构,其中上述之二氧化矽保护层的厚度约为4000埃(Angstrom)。5.如申请专利范围第1项所述之铜制程焊垫结构,其中上述之第二保护层包含一氮化矽(SiN)保护层。6.如申请专利范围第5项所述之铜制程焊垫结构,其中上述之氮化矽保护层的厚度约为6000埃(Angstrom)。7.如申请专利范围第1项所述之铜制程焊垫结构,其中上述之第二保护层介于该些焊垫之间的宽度约为3微米(m)。8.如申请专利范围第1项所述之铜制程焊垫结构,其中上述之焊垫系为铝铜合金所构成之焊垫。9.一种铜制程焊垫之制造方法,至少包含:形成一第一保护层,覆盖于一半导体基材之上,其中该半导体基材具有一最上层金属内连线;形成一第二保护层,覆盖于该第一保护层之上;图案化该第二保护层,以形成复数个第一开口;图案化该第一保护层,以形成复数个第二开口分别对应于该些第一开口之中,以露出该最上层金属内连线之复数个区域;以及形成复数个焊垫于该些第二开口之上与该些第一开口之中,其中该些焊垫与该最上层金属内连线所露出之该些区域电性连接,且该些焊垫被该第二保护层所隔篱。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中上述之最上层金属内连线系为一铜金属内连线。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中上述之第一保护层包含一二氧化矽(SiO2)保护层。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中上述之二氧化矽保护层的厚度约为4000埃(Angstrom)。13.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中上述之第二保护层包含一氮化矽(SiN)保护层。14.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中上述之氮化矽保护层的厚度约为6000埃(Angstrom)。15.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中上述之第二保护层介于该些焊垫之间的宽度约为3微米(m)。16.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中上述之焊垫系为铝铜合金所构成之焊垫。17.一种铜制程焊垫之制造方法,至少包含:提供一半导体基材,该半导体基材具有一最上层铜金属内连线;形成一二氧化矽保护层,覆盖于该半导体基材之上;形成一氮化矽保护层,覆盖于该二氧化矽保护层之上;图案化该氮化矽保护层,以形成复数个第一开口;图案化该二氧化矽保护层,以形成复数个第二开口分别对应于该些第一开口,使露出该最上层铜金属内连线之复数个区域;以及形成复数个铝铜合金焊垫于该些第二开口之上与该些第一开口之中,其中该些铝铜合金焊垫与该最上层铜金属内连线所露出之该些区域电性连接,且该些铝铜合金焊垫被该氮化矽保护层所隔离。18.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中上述之二氧化矽保护层的厚度约为4000埃(Angstrom)。19.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中上述之氮化矽保护层的厚度约为6000埃(Angstrom)。20.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中上述之氮化矽保护层介于该些焊垫之间的宽度约为3微米(m)。图式简单说明:第一图系为一习知铝铜焊垫之剖面示意图;第二图系为本发明之铜制程焊垫结构之示意图;以及第三A至三D图系为本发明之铜制程焊垫制造方法之流程示意图。 |
