| 主权项 |
1.一种基板处理装置,具有用以收纳叠层配置之基板之反应室,气体导入部及缓冲室,其特征为:该气体导入部系沿该基板之叠层配置方向设置,基板处理用气体则系导入该缓冲室;该缓冲室具有复数之气体供给口,系沿该基板之叠层配置方向配设,自该气体导入部导入之该处理用气体,由该复数之气体供给口供给于该反应室。2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该缓冲室所设之该复数只气体供给口的开口面积系为相等。3.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中沿该基板之叠层配置方向设有复数个气体导入口。4.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中该气体导入管在该缓冲室中设有气体供给管,而该气体供给管在沿该基板之叠层配置方向则设有复数个气体导入口。5.如申请专利范围第3项之基板处理装置,其中该气体导入部之该复数气体导入口的开口面积,系随着自上游往下游之方向变大。6.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中该缓冲室之该复数气体供给口,系与该叠层配置之基板的节距为相同节距之配置。7.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中该基板处理装置又具备有一个缓冲室。8.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中该缓冲室之该气体供给口系设在比配置该基板之位置更下侧。9.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中在缓冲室中设有可令该基板处理用气体活性化之气体活性构件。10.如申请专利范围第9项之基板处理装置,其中该气体活性构件为电浆产生用之电极。11.如申请专利范围第10项之基板处理装置,其中在该电极上设以保护构件,令该缓冲室周围大气与该电极不相接触。12.如申请专利范围第11项之基板处理装置,其中可在该保护构件内充填以不活性气体,或藉不活性气体使该保护构件内纯化(purge)。13.如申请专利范围第10项之基板处理装置,其中在该电极间设以该缓冲室之该复数气体供给口。14.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该缓冲室系设于该反应室内,该缓冲室具有第1壁面与第2壁面,该复数之气体供给口系设于该缓冲室之第1壁面上,该缓冲室之该第2壁面与该反应室壁面之一部分为共同壁,该缓冲室内设以电浆产生用之电极,及令该电极较该第2壁面更靠近该第1壁面。15.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中该缓冲室系设于该反应室内,该缓冲室具有第1壁面及第2壁面,该复数之气体供给口系设于该缓冲室之第1壁面上,该缓冲室之该第2壁面与该反应室之壁面一部分为共同壁,该缓冲室内设以电浆产生用之电极,该电极上分别设以保护构件,令该缓冲室周围大气与该电极不作接触,该保护构件系较该第2壁面更靠近该第1壁面。16.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中该基板处理装置具备有连接在该气体导入部之远端电浆单元(remote plasma unit),藉该远端电浆单元将活性化之该基板处理用气体,由该气体导入部导入该缓冲室。17.一种基板处理装置,具有用以收纳叠层配置之基板之反应室;复数之缓冲室;及复数之气体导入部,用以将基板处理用之气体分别导入该复数之缓冲室,其特征为:该复数之缓冲室分别具有沿该基板之叠层配置方向所设之复数只气体供给口,将分别由该复数气体导入部导入之该基板处理用气体,自该复数气体口分别供给于该反应室。18.一种反应容器,具有用以收纳叠层配置之基板之反应室;复数之缓冲室;及复数之气体导入部,用以将基板处理用之气体分别导入该复数之缓冲室,其特征为:该复数之缓冲室在沿该基板之叠层配置方向分别设有复数只之气体供给口,自该复数气体导入部分别导入之该基板处理用气体,系由该复数之气体口分别供给于该反应室。19.如申请专利范围第18项之反应容器,其中该复数气体导入部系沿该基板之叠层方向设置。20.一种反应容器,具有用以收纳叠层配置之基板之反应室;气体导入部,及缓冲室等,其特征为:该气体导入部系沿该基板之叠层配置方向设置,可将基板处理用气体导入该缓冲室,该缓冲室具有沿该基板之叠层配置方向设置之复数只气体供给口,可将由该气体导入都导入之该基板处理用气体自该复数气体供给口供给于该反应室。图式简单说明:第1图为本发明第1实施例基板处理装置之反应管内部的模式型剖面图。第2A及第2B图为本发明第1实施例基板处理装置之反应管的模式型剖面图,其中,第2A图为横剖面图,第2B图为第2A图沿a-a'方向剖面图。第3A及3B图分别为本发明第1实施例中之气体喷嘴及缓冲室斜视图。第4图为本发明实施例中,纵型之基板处理装置机构概要图。第5A、5B及5C图为本发明第2实施例中,基板处理装置之反应管外观与内部图,其中5A图为外观图,第5B及5C图为反应室纵剖面图。第6图为第5A图沿A-A方向横剖面图。第7图为本发明第3实施例基板处理装置之反应管横剖面图。第8图为本发明第4实施例基板处理装置之反应管横剖面图。第9图为本发明第5实施例基板处理装置之反应管横剖面图。第10图为本发明第6实施例基板处理装置之反应管部分横剖面图。第11图为本发明第7实施例基板处理装置之反应管部分横剖面图。第12图为本发明第8实施例基板处理装置之反应管部分横剖面图。第13图为本发明第9实施例基板处理装置之反应管横剖面图。第14图为习用基板处理装置之反应管内部的模式型剖面图。 |
