砷化镓元件背面铜金属化之制作方法

摘要

本发明砷化镓元件背面铜金属化之制作方法，系将砷化镓元件背面金属化金属由金改为铜，由于铜的阻值较低，且散热与机械强度亦较金优异。因此，以铜作为金属化金属之元件，可改善元件的散热、机械强度、导电度，更可增进元件的特性及可靠度。并藉由钨(W)、氮化钨(WN)、氮化钛钨(TiWN)等薄膜作为扩散阻障层，有效阻挡铜易扩散入砷化镓基材而改变元件特性之问题。

主权项

1.一种砷化镓元件背面铜金属化之制作方法,该方法系包括:一基材于该基材上制作穿孔(via hole);一扩散屏蔽层形成于该基材背面;以及一铜金属层形成于该扩散屏蔽层之上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该基材系由砷化镓所构成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中可采用耦合电浆(Inductively Coupled Plasma, ICP)乾式蚀刻方式制作viahole。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该扩散屏蔽层可以溅镀方法形成于该基材背面。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该扩散屏蔽层可以蒸镀方法形成于该基材背面。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该扩散屏蔽层厚度可为40至100nm。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该扩散屏蔽层可为钨(W)薄膜。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该扩散屏蔽层可为氮化钨(WN)薄膜。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该扩散屏蔽层可为氮化钛钨(TiWN)薄膜。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜金属层可以溅镀方法形成于该扩散屏蔽层上。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜金属层可以蒸镀方法形成于该扩散屏蔽层上。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜金属层可以电镀方法形成于该扩散屏蔽层上。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该铜金属层厚度可为2-10m。图式简单说明:第一图系为本发明之侧剖图第二图系为不同温度退火后X光绕射分析图