| 主权项 |
1.一种内层介电层之制作方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一含有硼及磷之介电层;对该含有硼及磷之介电层实施一电浆处理;在该含有硼及磷之介电层上原位形成一保护层,以与该含有硼及磷之介电层作为该内层介电层;以及对该内层介电层实施一热流程序。2.如申请专利范围第1项所述之内层介电层之制作方法,其中该含有硼及磷之介电层系一硼磷矽玻璃层。3.如申请专利范围第2项所述之内层介电层之制作方法,其中该含有硼及磷之介电层之厚度在4000到10000埃的范围。4.如申请专利范围第1项所述之内层介电层之制作方法,其中利用惰气作为该电浆处理之制程气体。5.如申请专利范围第4项所述之内层介电层之制作方法,其中该惰气包含氩气或氮气。6.如申请专利范围第1项所述之内层介电层之制作方法,其中该电浆处理之温度在600℃到700℃的范围。7.如申请专利范围第1项所述之内层介电层之制作方法,其中该电浆处理之时间在5到20秒的范围。8.如申请专利范围第1项所述之内层介电层之制作方法,其中该保护层系一未掺杂矽玻璃层。9.如申请专利范围第8项所述之内层介电层之制作方法,其中该保护层之厚度在120到400埃的范围。10.一种防止形成接触窗蚀刻缺陷之方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一硼磷矽玻璃层;对该硼磷矽玻璃层实施一电浆处理;在该含有硼及磷之介电层上原位形成一未掺杂矽玻璃层,以与该硼磷矽玻璃层作为一内层介电层;对该内层介电层实施一热流程序;以及蚀刻该内层介电层,以在其中形成至少一接触开口并露出该基底表面。11.如申请专利范围第10项所述之防止形成接触窗蚀刻缺陷之方法,更包括在该接触开口中填入一导电插塞。12.如申请专利范围第10项所述之防止形成接触窗蚀刻缺陷之方法,其中该硼磷矽玻璃层之厚度在4000到10000埃的范围。13.如申请专利范围第10项所述之防止形成接触窗蚀刻缺陷之方法,其中利用氩气作为该电浆处理之制程气体。14.如申请专利范围第10项所述之防止形成接触窗蚀刻缺陷之方法,其中利用氮气作为该电浆处理之制程气体。15.如申请专利范围第10项所述之防止形成接触窗蚀刻缺陷之方法,其中该电浆处理之温度在600℃到700℃的范围。16.如申请专利范围第10项所述之防止形成接触窗蚀刻缺陷之方法,其中该电浆处理之时间在5到20秒的范围。17.如申请专利范围第10项所述之防止形成接触窗蚀刻缺陷之方法,其中该未掺杂矽玻璃层之厚度在120到400埃的范围。图式简单说明:第1a到1c图系绘示出传统形成记忆装置之基底接触窗之方法剖面示意图。第2a到2d图系绘示出根据本发明实施例之形成接触窗之方法剖面示意图。 |
