| 主权项 |
1.一种可校正制程偏差之对准标记的对准方法,该对准方法至少包含:形成至少三个第一沟渠于一晶圆之一标记区域上,该些第一沟渠之形状为一长条形,且该些第一沟渠围成具有第一中心点之第一多边形,其中该长条形具有宽度逐渐缩减至零之二末端,且连结该二末端之直线与该长条形之两边互相平行;沈积一薄膜于该晶圆上,且该薄膜于该些第一沟渠中分别形成第二沟渠;将该些第二沟渠之二末端以直线连接起来,构成具有第二中心点之第二多边形;以及以该第二中心点为一对准目标,对该薄膜进行微影制程。2.如申请专利范围第1项所述之可校正制程偏差之对准标记的对准方法,其中该些第一沟渠为一纺锤形。3.如申请专利范围第1项所述之可校正制程偏差之对准标记的对准方法,其中该第一与第二多边形为正三角形。4.如申请专利范围第1项所述之可校正制程偏差之对准标记的对准方法,其中该第一与第二多边形为正方形。5.如申请专利范围第1项所述之可校正制程偏差之对准标记的对准方法,其中该薄膜包含一金属薄膜。6.一种可校正制程偏差之对准标记的对准方法,该对准方法至少包含:形成至少二个第一沟渠于一晶圆之一标记区域上,该些第一沟渠之形状为一长条形,且该些第一沟渠之延伸方向交叉在第一交叉点上,其中该长条形具有宽度逐渐缩减至零之二末端,且连结该二末端之直线与该长条形之两边互相平行;沈积一薄膜于该晶圆上,且该薄膜于该些第一沟渠中分别形成第二沟渠;将该些第二沟渠之二末端分别以直线连接起来,连接该些第二沟渠之二末端的直线交叉在第二交叉点上;以及以该第二交叉点为一对准目标,对该薄膜进行微影制程。7.如申请专利范围第6项所述之可校正制程偏差之对准标记的对准方法,其中该些第一沟渠为一纺锤形。8.如申请专利范围第6项所述之可校正制程偏差之对准标记的对准方法,其中该薄膜包含一金属薄膜。9.一种可校正制程偏差之对准标记的对准方法,该对准方法至少包含:形成至少一第一沟渠于一晶圆之一标记区域上,该第一沟渠之形状为一十字长条形,该十字长条形具有宽度逐渐缩减至零之四末端,且分别连结相对之该二末端之二直线所构成之第一十字与该十字长条形之两边互相平行;沈积一薄膜于该晶圆上,且该薄膜于该第一沟渠中形成第二沟渠;将该第二沟渠相对之二末端分别以二直线连接起来,构成一第二十字;以及以该第二十字之中心点为一对准目标对该薄膜进行微影制程。10.如申请专利范围第9项所述之可校正制程偏差之对准标记的对准方法,其中该第一沟渠为一十字纺锤形。11.如申请专利范围第9项所述之可校正制程偏差之对准标记的对准方法,其中该薄膜包含一金属薄膜。12.一种可校正制程偏差之对准标记,该对准标记至少包含:至少三个第一沟渠,位于一晶圆之一标记区域上,该些第一沟渠之形状为一长条形,且该些第一沟渠围成具有第一中心点之第一多边形,其中该长条形具有宽度逐渐缩减至零之二末端,且连结该二末端之直线与该长条形之两边互相平行。13.如申请专利范围第12项所述之可校正制程偏差之对准标记,其中该些第一沟渠为一纺锤形。14.如申请专利范围第12项所述之可校正制程偏差之对准标记,其中该第一与第二多边形为正三角形。15.如申请专利范围第12项所述之可校正制程偏差之对准标记,其中该第一与第二多边形为正方形。16.一种可校正制程偏差之对准标记,该对准标记至少包含:至少二个第一沟渠,位于一晶圆之一标记区域上,该些第一沟渠之形状为一长条形,且该些第一沟渠之延伸方向交叉在第一交叉点上,其中该长条形具有宽度逐渐缩减至零之二末端,且连结该二末端之直线与该长条形之两边互相平行。17.如申请专利范围第16项所述之可校正制程偏差之对准标记,其中该些第一沟渠为一纺锤形。18.一种可校正制程偏差之对准标记,该对准标记至少包含:至少一第一沟渠,位于一晶圆之一标记区域上,该第一沟渠之形状为一十字长条形,该十字长条形具有宽度逐渐缩减至零之四末端,且分别连结相对之该二末端之二直线所构成之第一十字与该十字长条形之两边互相平行。19.如申请专利范围第18项所述之可校正制程偏差之对准标记,其中该第一沟渠为一十字纺锤形。图式简单说明:第1图系绘出习知之盒中盒对准标记的俯视示意图。第2图系绘示习知因化学机械研磨薄膜造成薄膜轮廓不对称之剖面结构示意图。第3图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种对准标记之俯视局部放大图。第4图系绘示依照本发明一较佳实施例之对准标记的俯视示意图。第5图系绘示依照本发明另一较佳实施例之对准标记的俯视示意图。 |
