发明名称 探测卡构造
摘要 一种探测卡构造,其系包含一电路板、一基座、一弹性缓冲层、一探测头及复数个同轴电缆,该基座系设于该电路板,该弹性缓冲层系设于该基座,该弹性缓冲层系形成有复数个沟槽,该探测头系设于该弹性缓冲层,每一同轴电缆系包含有一中心导线,每一中心导线系具有一第一端及一第二端,该些中心导线之第一端系设于该弹性缓冲层之该些沟槽,该些中心导线之第二端系设于该电路板,用以传输测试讯号。
申请公布号 TWM248021 申请公布日期 2004.10.21
申请号 TW092219715 申请日期 2003.11.06
申请人 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES (BERMUDA)., LTD. 英属百慕达 发明人 曾元平;刘安鸿;王永和
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 张启威 高雄市左营区立文路七十七号十六楼之二
主权项 1.一种探测卡构造,包含:一电路板,其系具有一表面;一基座,其系设于该电路板;一弹性缓冲层,其系设于该基座,该弹性缓冲层系具有一正面与至少一侧面,该正面系形成有复数个沟槽,该些沟槽之一端系显露于该侧面;一探测头,其系设于该弹性缓冲层,该探测头系具有一探触面与一背面,该探触面系形成有复数个探触针,该背面系形成有复数个导接端,该些探触针系与该些导接端电性连接,该些导接端系对应该些沟槽;及复数个同轴电缆,每一同轴电缆系包含有一中心导线,每一中心导线包覆有一外介电层,每一中心导线系具有一第一端及一第二端,该些第一端系不被该些外介电层包覆,并设于该弹性缓冲层之该些沟槽,该些第二端系设于该电路板之该表面。2.如申请专利范围第1项所述之探测卡构造,其中该弹性缓冲层之沟槽系呈V形。3.如申请专利范围第1项所述之探测卡构造,其另包含有一异方性导电胶,其系填充于该些沟槽。4.如申请专利范围第1项所述之探测卡构造,其中该些中心导线之第一端系形成有一焊料。5.如申请专利范围第1项所述之探测卡构造,其中该探测头之导接端系为焊球。6.如申请专利范围第1项所述之探测卡构造,其中该探测头系形成有复数个导通孔。7.如申请专利范围第1项所述之探测卡构造,其另包含有一黏胶层,其系设于该探测头之背面与该弹性缓冲层之间。8.如申请专利范围第1项所述之探测卡构造,其中该电路板系形成有一定位孔。9.如申请专利范围第1项所述之探测卡构造,其中该基座之材质系为金属。10.一种探测卡构造,包含:一电路板;一弹性缓冲层,其系设于该电路板,该弹性缓冲层系具有至少一侧面,该弹性缓冲层系形成有复数个沟槽,该些沟槽之一端系显露于该侧面;一探测头,其系设于该弹性缓冲层,该探测头系具有一探触面,该探触面系形成有复数个探触针;及复数个同轴电缆,该些同轴电缆之一端系设于该弹性缓冲层之该些沟槽,该些同轴电缆之另一端系设于该电路板。11.如申请专利范围第10项所述之探测卡构造,其中该弹性缓冲层之沟槽系呈V形。12.如申请专利范围第10项所述之探测卡构造,其另包含有一异方性导电胶,其系填充于该些沟槽。13.如申请专利范围第10项所述之探测卡构造,其中该探测头系形成有复数个导通孔。14.如申请专利范围第10项所述之探测卡构造,其另包含有一黏胶层,其系设于该探测头与该弹性缓冲层之间。15.如申请专利范围第10项所述之探测卡构造,其中该电路板系形成有一定位孔。16.如申请专利范围第10项所述之探测卡构造,其中该基座之材质系为金属。图式简单说明:第1图:*专利公告第504819号之测试半导体晶圆之探测卡组合构造之截面示意图;及第2图:依本创作之一具体实施例,一种探测卡构造之截面示意图。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发一路一号