| 主权项 |
1.一种于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,包括下列步骤:提供一矽锗层基底;于该矽锗层基底内形成一浅沟槽;利用一高温制程于该浅沟槽内成长一内衬氧化层;以及于成长该内衬热氧化层之后直接退火该矽锗层基底。2.如申请专利范围第1项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,其中该退火步骤是以900至1500℃的条件进行。3.如申请专利范围第1项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,更包括在该退火步骤之后形成一浅沟槽隔离物。4.如申请专利范围第1项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,更包括于该矽锗层基底内形成该浅沟槽之后,且于利用热氧化制程于该浅沟槽内成长该内衬热氧化层之前,于该浅沟槽内磊晶成长一矽层。5.如申请专利范围第4项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,其中成长该矽层的方法系使用分子束磊晶法、选择性磊晶法或化学气相沈积磊晶法。6.如申请专利范围第1项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,更包括于该矽锗层基底内形成该浅沟槽之后,且于利用该高温制程于该浅沟槽内成长该内衬热氧化层之前,依序进行下列步骤:于氢气之气氛中退火该矽锗层基底;以及于该浅沟槽内磊晶成长一矽层。7.如申请专利范围第6项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,其中成长该矽层的方法系使用分子束磊晶法、选择性磊晶法或化学气相沈积磊晶法。8.如申请专利范围第1项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,更包括于该矽锗层基底内形成该浅沟槽之后,且于利用该高温制程于该浅沟槽内成长该内衬热氧化层之前,依序进行下列步骤:于该浅沟槽表面形成一牺牲氧化层;移除该牺牲氧化层;以及于该浅沟槽内磊晶成长一矽层。9.如申请专利范围第8项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,其中成长该矽层的方法系使用分子束磊晶法、选择性磊晶法或化学气相沈积磊晶法。10.如申请专利范围第1项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,更包括于该矽锗层基底内形成该浅沟槽之后,且于利用热氧化制程于该浅沟槽内成长该内衬热氧化层之前,依序进行下列步骤:于该浅沟槽表面形成一牺牲氧化层;移除该牺牲氧化层;于氢气之气氛中退火该矽锗层基底;以及于该浅沟槽内磊晶成长一矽层。11.如申请专利范围第10项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,其中成长该矽层的方法系使用分子束磊晶法、选择性磊晶法或化学气相沈积磊晶法。12.一种于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,包括下列步骤:提供一矽锗层基底;利用微影蚀刻制程于该矽锗层基底内形成一浅沟槽;利用热氧化制程于该浅沟槽内成长一内衬热氧化层;于成长该内衬热氧化层之后直接退火该矽锗层基底;以及在成长该内衬热氧化层且完成该退火步骤之后,于该浅沟槽内形成一浅沟槽隔离物。13.如申请专利范围第12项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,其中该退火步骤是以900至1500℃的条件进行。14.如申请专利范围第12项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,更包括于该矽锗层基底内形成该浅沟槽之后,且于利用热氧化制程于该浅沟槽内成长该内衬热氧化层之前,于该浅沟槽内磊晶成长一矽层。15.如申请专利范围第14项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,其中成长该矽层的方法系使用分子束磊晶法、选择性磊晶法或化学气相沈积磊晶法。16.如申请专利范围第12项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,更包括于该矽锗层基底内形成该浅沟槽之后,且于利用热氧化制程于该浅沟槽内成长该内衬热氧化层之前,依序进行下列步骤:于氢气之气氛中退火该矽锗层基底;以及于该浅沟槽内磊晶成长一矽层。17.如申请专利范围第16项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,其中成长该矽层的方法系使用分子束磊晶法、选择性磊晶法或化学气相沈积磊晶法。18.如申请专利范围第12项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,更包括于该矽锗层基底内形成该浅沟槽之后,且于利用热氧化制程于该浅沟槽内成长该内衬热氧化层之前,依序进行下列步骤:于该浅沟槽表面形成一牺牲氧化层;移除该牺牲氧化层;以及于该浅沟槽内磊晶成长一矽层。19.如申请专利范围第18项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,其中成长该矽层的方法系使用分子束磊晶法、选择性磊晶法或化学气相沈积磊晶法。20.如申请专利范围第12项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,更包括于该矽锗层基底内形成该浅沟槽之后,且于利用热氧化制程于该浅沟槽内成长该内衬热氧化层之前,依序进行下列步骤:于该浅沟槽表面形成一牺牲氧化层;移除该牺牲氧化层;于氢气之气氛中退火该矽锗层基底;以及于该浅沟槽内磊晶成长一矽层。21.如申请专利范围第20项所述之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法,其中成长该矽层的方法系使用分子束磊晶法、选择性磊晶法或化学气相沈积磊晶法。图式简单说明:第1A至1E图系显示传统之具有松弛的薄膜层结构的制程剖面图。第2A至2C图系系显示传统之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物的制程剖面图。第3A至3D图系根据本发明实施例1之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物的制程剖面图。第4A图至4C图系根据本发明实施例2之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物的制程流程图。第5A至5E图系根据本发明实施例4之于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物的制程剖面图。第6图系表示本发明于矽锗层基底中形成浅沟槽隔离物之方法的流程图。 |
