| 主权项 |
1.一种读取装置,其特征为具有: 感测部,设在基板上以读取被检出体, 驱动电路部,设在基板上以供给该驱动信号,用来 驱动该感测部, 静电保护部,至少一部份具有导电性,其形式系覆 盖该驱动电路部之上方之至少一部分。 2.如申请专利范围第1项之读取装置,其中该静电保 护部是不透明之导电膜。 3.如申请专利范围第1项之读取装置,其中该静电保 护部是保持该被检出体时所用之形状。 4.如申请专利范围第1项之读取装置,其中感测部有 多个光感测器。 5.如申请专利范围第4项之读取装置,其中多个光感 测器是双闸极光感测器,该驱动电路部具有顶部闸 极驱动器及底部闸极驱动器以驱动该双闸极光感 测器。 6.如申请专利范围第5项之读取装置,其中该顶部闸 极驱动器及底部闸极驱动器是与该双闸极光感测 器之制程之至少一部份相同之制程所制成。 7.如申请专利范围第1项之读取装置,其中该感测部 及驱动电路部之至少一部份是以绝缘膜覆盖,该静 电保护部形成在该绝缘膜上方。 8.如申请专利范围第1项之读取装置,其中静电保护 部具有空隙以容纳该驱动电路部。 9.如申请专利范围第1项之读取装置,其中静电保护 部中输入微弱之脉波信号以检知被检出体已被接 触。 10.如申请专利范围第1项之读取装置,其中该静电 保护部在带静电之被检出体接触或接近时具有使 带电之静电被放电之机能。 11.如申请专利范围第1项之读取装置,其中该驱动 电路部具有由单晶矽所形成之积体电路。 12.如申请专利范围第1项之读取装置,其中静电保 护部是透明之导电膜。 13.一种读取装置,其特征为具有: 多个双闸极光感测器,其以矩阵状配置在基板上, 藉由手指载置在接触面上以光学方式读取该手指, 顶部闸极驱动器,底部闸极驱动器及侦测驱动器, 其形成在基板上方,供给该驱动信号以驱动多个双 闸极光感测器, 静电保护部,其覆盖在顶部闸极驱动器,底部闸极 驱动器及侦测驱动器之上方,在手指载置在接触面 上时保持该手指同时使手指中所带有之静电被放 电。 14.如申请专利范围第13项之读取装置,其中具有光 源,藉由多个光感测器使光向着被检出体而照射在 基板下方。 15.如申请专利范围第13项之读取装置,其中该读取 装置附属于电脑。 16.一种读取装置,其特征为具有: 感测部,用来读取被检出体, 第1导电层,形成在感测部之上方, 第2导电层,其与第1导电层在电性上相隔开而形成 在感测部上方, 阻抗检出装置,施加信号电压至第1导电层及第2导 电层中之至少一层,观测第1导电层或第2导电层之 输入阻抗之变化,以该输入阻抗之变化为准,检出 被检出体对第1导电层及第2导电层之双方之接触 状态, 控制装置,使随着被检出体对第1导电层及第2导电 层之接触状况而变化之电压受到控制。 17.如申请专利范围第16项之读取装置,其中第1导电 层及第2导电层各别所施加之信号电压中其一是交 流信号电压,另一种是定电压。 18.如申请专利范围第16项之读取装置,其中藉由阻 抗检出装置检出第1导电层及第2导电层之双方中 被检出体之接触状态时,驱动该检测部,起动被检 出体之图像读取动作。 19.如申请专利范围第16项之读取装置,其中该感测 部包含:源极及汲极,其是挟着半导体层所形成之 通道区域而形成;第1闸极及第2闸极,其藉由各别之 绝缘膜而形成在至少该通道区域之上方及下方, 重置(reset)脉波施加至第1闸极使该感测器起始化, 在该汲极施加预充电脉波之后,藉由施加脉波至该 第2闸极上读出,则由该起始化终止至读出所施加 之脉波为止之电荷蓄积期间中,对应于通道区域中 所蓄积之电荷之电压被输出成输出电压。 20.如申请专利范围第16项之读取装置,其中第2导电 层具有诱导用之引导机能使被检出体可与第1导电 层正规地接触。 21.一种读取装置,其特征为具有: 感测部,用来读取被检出体 第1导电层,形成在感测部之上方, 第2导电层,其与第1导电层在电性上相隔开而配置 在感测部之上方,形成第2导电层所用之材料之电 阻率较形成第1导电层之材料者还低。 22.如申请专利范围第21项之读取装置,其中第2导电 层之片(sheet)阻抗较第1导电层者还低。 23.如申请专利范围第21项之读取装置,其中各别施 加至第1导电层及第2导电层之信号电压中之一是 交流信号电压,另一是定电压。 24.如申请专利范围第21项之读取装置,其中具有:阻 抗检出装置,第1导电层及第2导电层分别施加不同 之信号电压,观测第1导电层或第2导电层之输入阻 抗之变化,依据该输入阻抗之变化来检出第1导电 层及第2导电层之双方对被检出体之接触状态; 控制装置,控制该随着被检出体对第1导电层及第2 导电层之接触状态而变化之电压。 25.如申请专利范围第24项之读取装置,其中藉由阻 抗检出装置来检出第1导电层及第2导电层之双方 在与被检出体接触之状态时,驱动该感测部而开始 该被检出体之图像之读取动作。 26.如申请专利范围第21项之读取装置,其中该感测 部包含:源极及汲极,其是挟着半导体层所形成之 通道区域而形成;第1闸极及第2闸极,其藉由各别之 绝缘膜而形成在至少该通道区域之上方及下方, 重置(reset)脉波施加至第1闸极使该感测器起始化, 在该汲极施加预充电脉波之后,藉由施加脉波至该 第2闸极上读出,则由该起始化终止至读出所施加 之脉波为止之电荷蓄积期间中,对应于通道区域中 所蓄积之电荷之电压被输出成输出电压。 27.如申请专利范围第21项之读取装置,其中另有驱 动电路部,用来驱动该感测部; 该第1导电层及第2导电层之至少任一层配置成覆 盖该驱动电路部之至少一部份。 图式简单说明: 第1图 本实施形式中指纹读取装置之光感测装置 之电路构成。 第2图 第1图之感测模组之斜视图。 第3图 第2图之Ⅲ-Ⅲ线断面图。 第4图 第2图之Ⅳ-Ⅳ线断面图。 第5图 其它侦测驱动及静电保护部之构造之断面 图。 第6图 指纹读取装置中所说之光感测阵列之双闸 极光感测器之具体形式之平面图。 第7图 双闸极光感测器之具体形式图,第6图之Ⅶ- Ⅶ线断面图。 第8图 说明该构成光感测阵列用之双闸极光感测 器之驱动原理之模式图。 第9图 构成该驱动电路部所用之顶部闸极驱动器 或底部闸极驱动器之电路之构成图。 第10图 该顶部闸极驱动器或底部闸极驱动器之电 路之各段之电路构成图。 第11图 时序图,用来显示顶部闸极驱动器及底部闸 极驱动器之动作。 第12图 显示本实施形式之指纹读取装置之读取动 作所用之断面图。 第13图 选择状态中之电位变化图。 第14图 非选择状态中之电位变化图。 第15图 指纹读取装置中各双闸极光感测器之动作 说明用之模式图。 第16图 其它实施形式之指纹读取装置之图群。 第17图 第16图中之ⅩⅦ-ⅩⅦ线断面图。 第18图 其它实施形式之指纹读取装置之断面图。 第19图 其它实施形式之指纹读取装置之断面图。 第20图 其它实施形式之指纹读取装置之断面图。 第21图 箱子构件应用于静电保护部中之该指纹读 取装置之平面图。 第22图 第21图中之Ⅹ Ⅹ Ⅱ-Ⅹ Ⅹ Ⅱ线断面图。 第23图 显示第21图中之指纹读取装置之读取动作 之状态之平面图。 第24图 第23图之粗略断面图。 第25图 显示向本实施形式之指纹读取装置之被检 出体之非接触状态中之电路机能之等效电路图。 第26图 显示向本实施形式之指纹读取装置之被检 出体之接触状态中之电路机能之等效电路图。 第27图 时序图,其显示向本实施形式之指纹读取装 置之被检出体之接触状态检出时之信号电压之变 化。 第28图 其它实施形式之指纹读取装置之平面图。 第29图 其它实施形式之指纹读取装置之平面图。 第30图 第29图之感测模组之斜视图。 第31图 第30图之Ⅹ Ⅹ Ⅹ Ⅰ-Ⅹ Ⅹ Ⅹ Ⅰ线断面图 。 |
