| 主权项 |
1.一种利用电子束制程增加界面附着性之方法,包 括下列步骤: 提供一基底; 在该基底上形成一第一绝缘层;以及 对该基底及该第一绝缘层之界面实施一第一电子 束制程,使其产生交联作用。 2.如申请专利范围第1项所述之利用电子束制程增 加界面附着性之方法,其中该基底系一半导体基底 。 3.如申请专利范围第2项所述之利用电子束制程增 加界面附着性之方法,更包括在实施该第一电子束 制程之后,在该第一绝缘层上形成一第二绝缘层之 步骤。 4.如申请专利范围第3项所述之利用电子束制程增 加界面附着性之方法,其中该第一及该第二绝缘层 系相同之低介电材料层且该第一绝缘层厚度在10 到5000埃的范围而该第二绝缘层厚度在500到10000埃 的范围。 5.如申请专利范围第3项所述之利用电子束制程增 加界面附着性之方法,更包括对该第一绝缘层及该 第二绝缘层之界面实施一第二电子束制程,使其产 生交联作用。 6.如申请专利范围第5项所述之利用电子束制程增 加界面附着性之方法,其中该第二电子束制程之电 子束能量在1到60 KeV的范围。 7.如申请专利范围第5项所述之利用电子束制程增 加界面附着性之方法,其中该第二电子束制程之电 子束剂量在10到50000 C/cm2的范围。 8.如申请专利范围第3项所述之利用电子束制程增 加界面附着性之方法,其中该第一绝缘层系一氮化 矽层或氧化矽层且该第二绝缘层系一低介电材料 层。 9.如申请专利范围第3项所述之利用电子束制程增 加界面附着性之方法,其中该第一绝缘层系一低介 电材料层且该第二绝缘层系一氮化矽层或氧化矽 层。 10.如申请专利范围第3项所述之利用电子束制程增 加界面附着性之方法,其中该第一绝缘层系一低介 电材料层且该第二绝缘层系一介电抗反射层。 11.如申请专利范围第1项所述之利用电子束制程增 加界面附着性之方法,其中该第一电子束制程之电 子束能量在1到60 KeV的范围。 12.如申请专利范围第1项所述之利用电子束制程增 加界面附着性之方法,其中该第一电子束制程之电 子束剂量在10到50000 C/cm2的范围。 13.一种利用电子束制程增加界面附着性之方法,包 括下列步骤: 提供一基底,其上形成有一第一绝缘层; 在该第一绝缘层上形成一第二绝缘层;以及 对该第一绝缘层及该第二绝缘层之界面实施一第 一电子束制程,使其产生交联作用。 14.如申请专利范围第13项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,更包括在实施该第一电子 束制程之后,在该第二绝缘层上形成一第三绝缘层 之步骤。 15.如申请专利范围第14项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该第二及该第三绝缘 层系相同之低介电材料层且该第二绝缘层厚度在 10到5000埃的范围而该第三绝缘层厚度在500到10000 埃的范围。 16.如申请专利范围第14项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,更包括对该第二绝缘层及 该第三绝缘层之界面实施一第二电子束制程,使其 产生交联作用。 17.如申请专利范围第16项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该第二电子束制程之 电子束能量在1到60 KeV的范围。 18.如申请专利范围第16项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该第二电子束制程之 电子束剂量在10到50000 C/cm2的范围。 19.如申请专利范围第14项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该第二绝缘层系一氮 化矽层或氧化矽层且该第三绝缘层系一低介电材 料层。 20.如申请专利范围第14项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该第二绝缘层系一低 介电材料层且该第三绝缘层系一氮化矽层或氧化 矽层。 21.如申请专利范围第14项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该第二绝缘层系一低 介电材料层且该第三绝缘层系一介电抗反射层。 22.如申请专利范围第16项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该第一电子束制程之 电子束能量在1到60 KeV的范围。 23.如申请专利范围第16项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该第一电子束制程之 电子束剂量在10到50000 C/cm2的范围。 24.一种利用电子束制程增加界面附着性之方法,包 括下列步骤: 提供一基底,其上形成有一导电层; 在该导电层上形成一绝缘层;以及 对该导电层及该绝缘层之界面实施一电子束制程, 使其产生交联作用。 25.如申请专利范围第24项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该导电层系一金属层 。 26.如申请专利范围第24项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该绝缘层系一氮化矽 层或氧化矽层。 27.如申请专利范围第24项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该绝缘层系一低介电 材料层。 28.如申请专利范围第24项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该绝缘层系一介电抗 反射层。 29.如申请专利范围第24项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该电子束制程之电子 束能量在1到60 KeV的范围。 30.如申请专利范围第24项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该电子束制程之电子 束剂量在10到50000 C/cm2的范围。 31.一种利用电子束制程增加界面附着性之方法,包 括下列步骤: 提供一基底,其上形成一绝缘层; 在该绝缘层上形成一导电层;以及 对该绝缘层及该导电层之界面实施一电子束制程, 使其产生交联作用。 32.如申请专利范围第31项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该绝缘层系一氮化矽 层或氧化矽层。 33.如申请专利范围第31项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该绝缘层系一低介电 材料层。 34.如申请专利范围第31项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该绝缘层系一介电抗 反射层。 35.如申请专利范围第31项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该导电层系一金属层 。 36.如申请专利范围第31项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该电子束制程之电子 束能量在1到60 KeV的范围。 37.如申请专利范围第31项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该电子束制程之电子 束剂量在10到50000 C/cm2的范围。 38.一种利用电子束制程增加界面附着性之方法,包 括下列步骤: 提供一基底; 在该基底上依序形成一第一绝缘层、一第二绝缘 层及一第三绝缘层;以及 同时对该第一及该第二绝缘层之界面以及该第二 及该第三绝缘层之界面实施一电子束制程,使两界 面分别产生交联作用。 39.如申请专利范围第38项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该电子束制程之电子 束能量在1到60 KeV的范围。 40.如申请专利范围第38项所述之利用电子束制程 增加界面附着性之方法,其中该电子束制程之电子 束剂量在10到50000 C/cm2的范围。 图式简单说明: 第1到2a及2b图系绘示出根据本发明第一实施例之 利用电子束制程增加界面附着性之方法剖面示意 图; 第3到5a及5b图系绘示出根据本发明第二实施例之 利用电子束制程增加界面附着性之方法剖面示意 图; 第6到7图系绘示出根据本发明第三实施例之利用 电子束制程增加界面附着性之方法剖面示意图;及 第8a及8b图系绘示出根据本发明第四实施例之利用 电子束制程增加界面附着性之方法剖面示意图。 |
