| 主权项 |
1.一种气体清除方法,系将配置于既定波长光之光 路上的物体与光学装置之间的空间进行气体清除, 其系包含以下步骤: 以至少在与该物体、及保持该物体之保持构件中 任一特定物体之间形成既定之第1间隙的状态下, 配置将该光学装置与物体之间的空间与外气阻隔 之遮蔽构件的步骤;及 将对该光之吸收特性比吸收性气体低的特定气体, 透过形成于该遮蔽构件之供气用开口,而供应于该 遮蔽构件内部之空间的步骤。 2.如申请专利范围第1项之气体清除方法,其系进一 步包含:将该遮蔽构件内部之空间内的气体,透过 形成于该遮蔽构件之排气用开口向外部排气的步 骤。 3.如申请专利范围第1项之气体清除方法,其中,该 第1间隙系大约3mm以下。 4.如申请专利范围第3项之气体清除方法,其系进一 步包含:透过在该遮蔽构件之与该特定物体对向之 端面所形成的供气口,将既定之气体供应于该第1 间隙内,并且使该第1间隙内之气体,透过相对于该 端面之该空间系位于该供气口外侧的排气口向外 部排气的步骤。 5.如申请专利范围第1项之气体清除方法,其中,该 遮蔽构件,系用以减低对该光学装置之振动传达。 6.如申请专利范围第5项之气体清除方法,其中,该 遮蔽构件,系以与该光学装置之间形成既定之第2 间隙之状态下配置。 7.如申请专利范围第6项之气体清除方法,其中,该 第2间隙系大约3mm以下。 8.如申请专利范围第7项之气体清除方法,其系进一 步包含:透过在该遮蔽构件之与该光学装置对向之 端面所形成的供气口,将既定之气体供应于该第2 间隙内,并且将该第2间隙内之气体,透过相对于该 端面之空间系位于该供气口外侧的排气口向外部 排气的步骤。 9.一种气体清除方法,系将包含使用于光学装置(具 有照射既定波长光之光学系统)的光检测器之受光 面的空间进行气体清除,其系包含以下步骤: 将保持构件(一面形成开口且在内部将该光检测器 以受光面朝该开口的方式收容)之该开口周围的端 面,透过密封构件而与该光学装置之构成零件之一 部分结合,以将包含该光检测器之受光面之空间与 外气阻隔之步骤;及 将对该光之吸收特性比吸收性气体低的特定气体, 透过形成于该构成零件、及保持构件中任一者的 供气用开口供应于该空间,而将该空间内之气体, 透过形成于该构成零件、及保持构件中任一者的 排气用开口向外部排气之步骤。 10.如申请专利范围第9项之气体清除方法,其系进 一步包含: 在该保持构件之载置该光检测器之部分,预先形成 贯通孔的步骤;及 从该光检测器之背面侧,透过该贯通孔,将来自该 光检测器之电气配线向外部拉出的步骤。 11.如申请专利范围第9项之气体清除方法,其系进 一步包含:将该保持构件冷却的步骤。 12.如申请专利范围第11项之气体清除方法,其中,该 保持构件之冷却,系在该保持构件之与该光检测器 相反侧主面连接珀耳帖元件来进行。 13.如申请专利范围第12项之气体清除方法,其系进 一步包含:使该珀耳帖元件之与该保持构件相反侧 冷却的步骤。 14.如申请专利范围第12项之气体清除方法,其系进 一步包含:在该光学装置之该构成零件(与保持构 件结合)之与该保持构件相反侧配置光透过性构件 ,将包含该光检测器之受光面之空间分隔成复数个 空间的步骤。 15.一种曝光装置,系用以将形成于光罩之图案转印 于基板上,其系具备: 照明光学系统,系用来以既定波长光照明该光罩; 第1遮蔽构件,系配置于该光罩、及保持该光罩之 光罩保持构件中任一特定物体与该照明光学系统 之间,以至少在与该特定物体之间形成既定之第1 间隙之状态下,将该光罩之该照明光学系统侧之至 少包含对应该光罩之图案领域的领域之第1空间与 外气阻隔;及 第1气体供应系统,系透过形成于该第1遮蔽构件之 供气用开口,将对该光之吸收特性比吸收性气体低 的特定气体供应于该第1空间。 16.如申请专利范围第15项之曝光装置,其系进一步 具备: 投影光学系统,系用以将从该光罩射出之光投射于 该基板上; 第2遮蔽构件,系配置于该特定物体与该投影光学 系统之间,在减低对该投影光学系统之振动传达之 状态下,将该光罩之该投影光学系统侧之至少包含 该光罩之图案领域之第2空间与外气阻隔;及 第2气体供应系统,系透过形成于该第2遮蔽构件之 供气用开口将该特定气体供应于该第2空间。 17.如申请专利范围第16项之曝光装置,其中,第2遮 蔽构件,系以至少在与该特定物体之间形成既定之 第2间隙之状态下配置。 18.如申请专利范围第17项之曝光装置,其系进一步 具备: 第1气体排气系统,系透过形成于该第1遮蔽构件之 排气用开口将该第1空间内之气体向外部排气;及 第2气体排气系统,系透过形成于该第2遮蔽构件之 排气用开口将该第2空间内之气体向外部排气。 19.如申请专利范围第17项之曝光装置,其中,该第1 及第2间隙之至少一方系大约3mm以下。 20.如申请专利范围第19项之曝光装置,其系进一步 具备:差动排气机构,从形成于该第1遮蔽构件之与 该特定物体对向之端面的供气口,将既定之气体透 过相对于该端面之第1空间系位于该供气口外侧的 排气口向外部排气。 21.如申请专利范围第19项之曝光装置,其系进一步 具备:差动排气机构,从形成于该第2遮蔽构件之与 该特定物体对向之端面的供气口,将既定之气体向 该特定物体供应,并且将该第2间隙内之气体透过 相对于该端面之第2空间系位于该供气口外侧的排 气口向外部排气。 22.如申请专利范围第17项之曝光装置,其系进一步 具备以下两机构中至少一方:设置于该第1遮蔽构 件之特定物体侧之端部,且能将该第1间隙在该第1 遮蔽构件全周进行调整的调整机构;以及设置于该 第2遮蔽构件之特定物体侧之端部,且能将该第2间 隙在该第2遮蔽构件全周进行调整的调整机构。 23.如申请专利范围第17项之曝光装置,其中,在该第 2遮蔽构件与该投影光学系统之间形成既定之第3 间隙。 24.如申请专利范围第23项之曝光装置,其中,该第3 间隙系大约3mm以下。 25.如申请专利范围第23项之曝光装置,其系进一步 具备:差动排气机构,从形成于该第2遮蔽构件之与 该投影光学系统对向之端面的供气口,将既定之气 体向该第3间隙内供应,并且将该第3间隙内之气体 透过相对于该端面之第2空间系位于该供气口外侧 的排气口向外部排气。 26.如申请专利范围第17项之曝光装置,其中,该第1 遮蔽构件之与该特定物体对向之端面及该第2遮蔽 构件之与该特定物体对向之端面系均为平面,分别 与此等端面对向之该特定物体之面亦皆系平面。 27.如申请专利范围第17项之曝光装置,其系进一步 具备:基板保持构件,系用来保持该基板;及驱动装 置,系包含将该光罩保持构件沿既定扫描方向驱动 之驱动源,将该光罩保持构件与该基板保持构件沿 既定扫描方向同步移动;将该驱动源之至少一部分 ,配置于该第1空间及第2空间之外部。 28.如申请专利范围第27项之曝光装置,其中,该第1 遮蔽构件之扫描方向之长度,系至少依据:在进行 该曝光之同步移动时前后之加速域与减速域中,该 光罩保持构件所移动之助行距离;及该光罩之图案 领域之扫描方向的长度来决定。 29.如申请专利范围第17项之曝光装置,其系进一步 具备:第3遮蔽构件,配置于该基板与投影光学系统 之间,以至少在与该基板之间形成既定之第3间隙 之状态下,将该基板之投影光学系统侧之第3空间 与外气阻隔;及第3气体供应系统,透过形成于该第3 遮蔽构件之供气用开口将该特定气体供应于该第3 空间。 30.如申请专利范围第29项之曝光装置,其系进一步 具备气体排气系统,透过形成于该第3遮蔽构件之 排气用开口,将该第3空间内之气体向外部排气。 31.如申请专利范围第29项之曝光装置,其中,该第3 遮蔽构件,系在与该投影光学系统之间形成既定之 第4间隙之状态下配置。 32.如申请专利范围第31项之曝光装置,其系进一步 具备排气机构,透过形成于该第3遮蔽构件之与投 影光学系统对向之端面的排气口,将该第4间隙内 之气体向外部排气。 33.如申请专利范围第32项之曝光装置,其中,该排气 机构,系将该第3间隙内之气体透过该第4间隙向外 部排气。 34.如申请专利范围第33项之曝光装置,其中,该第3 气体供应系统,系透过该第4间隙将该特定气体供 应于该第3空间。 35.如申请专利范围第29项之曝光装置,其系进一步 具备:差动排气机构,从形成于该第3遮蔽构件之与 该基板对向之端面的供气口,将既定之气体供应于 该第3间隙内,并且将该第3间隙内之气体透过相对 于该端面之第3空间系位于该供气口外侧的排气口 向外部排气。 36.如申请专利范围第15项之曝光装置,其中,在该第 1遮蔽构件与照明光学系统之间形成既定之第2间 隙。 37.如申请专利范围第36项之曝光装置,其中,该第2 间隙系大约3mm以下。 38.如申请专利范围第36项之曝光装置,其系进一步 具备差动排气机构,从形成于该第1遮蔽构件之与 该照明光学系统对向之端面的供气口,将既定之气 体供应于该第2间隙内,并且将该第2间隙内之气体 透过相对于该端面之第1空间系位于该供气口外侧 的排气口向外部排气。 39.如申请专利范围第16项之曝光装置,其系进一步 具备:第2遮蔽构件,配置于该基板与该投影光学系 统之间,以至少在与该基板之间形成既定之第2间 隙之状态下,将该基板之投影光学系统侧之第2空 间与外气阻隔;及第2气体供应系统,透过形成于该 第2遮蔽构件之供气用开口,将特定气体供应于该 第2空间。 40.如申请专利范围第39项之曝光装置,其系进一步 具备:气体排气机构,透过形成于该第2遮蔽构件之 排气口,将该第2空间内之气体向外部排气。 41.如申请专利范围第39项之曝光装置,其中,该第2 遮蔽构件,系在与该投影光学系统之间,形成既定 之第3间隙。 42.如申请专利范围第41项之曝光装置,其系进一步 具备:排气机构,透过形成于该第2遮蔽构件之与该 投影光学系统对向之端面的排气口,将该第3间隙 内之气体向外部排气。 43.如申请专利范围第42项之曝光装置,其中,该排气 机构,系将该第2空间内之气体透过该第3间隙向外 部排气。 44.如申请专利范围第43项之曝光装置,其中,该第2 气体供应系统,系透过该第3间隙将该特定气体供 应于该第2空间。 45.如申请专利范围第39项之曝光装置,其系进一步 具备:差动排气机构,从形成于该第2遮蔽构件之与 该基板射向之端面的供气口,将既定之气体供应于 该第2间隙内,并且将该第2间隙内之气体透过相对 于该端面之第2空间系位于该供气口外侧的排气口 向外部排气。 46.如申请专利范围第39项之曝光装置,其系进一步 具备调整机构,设置于该第2遮蔽构件之基板侧之 端部,且能将该第2间隙在该第2遮蔽构件全周进行 调整。 47.如申请专利范围第15项之曝光装置,其系进一步 具备:基板保持构件,用来保持该基板;及驱动装置, 将该光罩保持构件与该基板保持构件沿既定之扫 描方向同步移动。 48.如申请专利范围第47项之曝光装置,其中,该第1 遮蔽构件之扫描方向的长度,系至少依据:在进行 该曝光之同步移动时前后之加速域与减速域中,该 光罩保持构件所移动之助行距离;及该光罩之图案 领域之扫描方向的长度来决定。 49.如申请专利范围第48项之曝光装置,其中,该第1 遮蔽构件之扫描方向之长度,系进一步依据:以该 光照明该光罩之照明领域之扫描方向的长度来决 定。 50.一种曝光装置,系用以将曝光用光所照明之光罩 之图案透过投影光学系统转印于基板上,其特征在 于具有: 遮蔽构件,系在该基板与该投影光学系统之间,配 置成不与该基板与该投影光学系统接触,将包含位 于该基板与该投影光学系统之间的该曝光光束之 光路的空间与外气阻隔。 51.如申请专利范围第50项之曝光装置,其系将该基 板与遮蔽构件之间、或该投影光学系统与遮蔽构 件之间所形成之间隙内的气体吸引排气,藉此,将 以该遮蔽构件所遮蔽之空间与该外气阻隔。 52.如申请专利范围第51项之曝光装置,其系于该基 板与该遮蔽构件之间、或该投影光学系统与该遮 蔽构件之间所形成的间隙内,将对该曝光用光之吸 收特性比吸收性气体低的特定气体供气。 图式简单说明: 图1系概略地表示本发明之第1实施形态之曝光装 置之构成图。 图2系表示图1之装置之气体配管的示意图。 图3(A)系表示标线片载台RST附近的立体图,图3(B)系 标线片载台RST的概略截面图。 图4系标线片载台RST的俯视图。 图5(A)系表示将照明系统侧气体清除侧缘之下端面 与标线片载台接近配置之部分的截面图,图5(B)系 将接近于照明系统侧气体清除侧缘之标线片载台 之面之一部分放大表示的图。 图6(A)系表示将投影系统侧气体清除侧缘之上端面 与标线片载台接近配置之部分的截面图,图6(B)系 表示将投影系统侧气体清除侧缘与投影光学系统 接近配置之部分的截面图。 图7(A)系表示晶圆气体清除侧缘附近的截面图,图7( B)系将晶圆气体清除侧缘从上侧(+Z侧)观察的俯视 图。 图8系用以说明以在照明单元与照明系统侧气体清 除侧缘之间形成间隙之方式,设置照明系统侧气体 清除侧缘时之差动排气机构的构成图。 图9系用以说明变形例之气体清除方法的图。 图10系将构成本发明第2实施形态之检查光学装置 之一部分的检查部,与投影光学系统及遮蔽机构一 起表示的截面图。 图11(A)系本发明第3实施形态之光学系统支持框体 之下端部附近的截面图,图11(B)系表示搭载CCD之陶 瓷封装体的立体图。 图12系用以说明本发明之元件制造方法之实施形 态的流程图。 图13系表示图12之步骤304详细的流程图。 |
