| 主权项 |
1.一种显示装置,其以矩阵状配置闸极配线与源极 配线,并于上述闸极配线与上述源极配线之交叉部 设置电晶体,其特征在于: 上述电晶体系在平面性地重叠于闸极电极之半导 体层之上,形成以既定间隔相互面向之源极电极及 汲极电极; 上述源极电极、汲极电极皆为具有长轴方向之形 状; 在上述源极电极处系形成收纳上述汲极电极前端 部之凹部; 同时在上述半导体层处系形成由上述闸极电极突 出而跟闸极电极未重叠但跟上述源极电极和汲极 电极重叠之突出部,且重叠于上述源极电极之突出 部及重叠于上述汲极电极之突出部系被上述闸极 电极所遮蔽而相互呈独立状态; 上述半导体层中,与闸极电极重叠且面向于源极电 极之未面向于汲极电极之侧边的部分,具有沿着源 极电极轮廓的轮廓形状;以及 上述汲极电极与上述源极配线大抵呈平行配置。 2.如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中上述 闸极配线及上述源极配线所区划化出的区域内配 置上述电晶体及连接于该电晶体之像素电极,并在 上述闸极配线及重叠于该闸极配线所配置的下一 段像素电极之间配置上下夹于闸极绝缘膜与保护 膜的辅助电容用电极,且将在用以连接上述辅助电 容用电极及上述像素电极之上述保护膜中所形成 的接触孔配置于偏向上述电晶体存在之侧,同时在 位于上述辅助电容用电极之上的上述像素电极之 边缘处,于跟上述接触孔存在之侧相反之侧形成缺 口部。 3.一种电晶体,系在平面性地重叠于闸极电极之半 导体层之上,形成以既定间隔相互面向之源极电极 及汲极电极,其特征在于: 上述汲极电极之面向于上述源极电极之边缘形状 为圆角之凸曲线; 上述源极电极之面向于上述汲极电极之边缘形状 为对应于汲极电极之边缘形状的凹曲线; 上述源极电极之未面向于上述汲极电极之边缘,在 源极电极之宽度大抵维持固定条件下,呈沿着源极 电极之面向于上述汲极电极之边缘的凸曲线; 在上述半导体层处系形成由上述闸极电极突出而 跟上述源极电极和汲极电极重叠之突出部,且重叠 于上述源极电极之突出部及重叠于上述汲极电极 之突出部系被上述闸极电极所遮蔽而相互呈独立 状态;以及 上述半导体层中,与闸极电极重叠且面向于源极电 极之未面向于汲极电极之侧边的部分,系沿着源极 电极轮廓局部切除。 4.一种电晶体,系在平面性地重叠于闸极电极之半 导体层之上,形成以既定间隔相互面向之源极电极 及汲极电极,其特征在于: 上述汲极电极之面向于上述源极电极之边缘形状 为凸圆弧; 上述源极电极之面向于上述汲极电极侧的边缘,在 源极电极和汲极电极之间隔大抵维持固定条件下, 呈沿着汲极电极之边缘的凹圆弧; 上述源极电极之未面向于上述汲极电极侧的边缘, 在源极电极之宽度大抵维持固定条件下,呈沿着源 极电极之面向于上述汲极电极侧之边缘的凸圆弧; 在上述半导体层处系形成由上述闸极电极突出而 跟上述源极电极和汲极电极重叠之突出部,且重叠 于上述源极电极之突出部及重叠于上述汲极电极 之突出部系被上述闸极电极所遮蔽而相互呈独立 状态;以及 上述半导体层中,与闸极电极重叠上面向于源极电 极之未面向于汲极电极之侧边的部分,具有沿着源 极电极轮廓之轮廓形状。 5.一种显示装置,系使用如申请专利范围第3或4项 所述之电晶体来作为显示用电晶体,其特征在于: 令闸极配线及源极配线配置成矩阵状,并于上述闸 极配线及源极配线之交叉部设置上述电晶体,且令 上述电晶体之上述汲极电极跟上述源极配线大抵 成平行来配置。 6.一种显示装置,系使用如申请专利范围第3或4项 所述之电晶体来作为显示用电晶体,其特征在于: 令源极配线及闸极配线配置成矩阵状,并于上述源 极配线及闸极配线之交叉部设置上述电晶体,且令 上述电晶体之上述汲极电极跟上述源极配线大抵 成直角来配置。 7.如申请专利范围第5项所述之显示装置,其中,在 由上述闸极配线及上述源极配线所区划化出的区 域内配置上述电晶体及连接于该电晶体之像素电 极,并在上述闸极配线及重叠于该闸极配线所配置 的下一段像素电极之间配置上下夹于闸极绝缘膜 与保护膜的辅助电容用电极,且将在用以连接上述 辅助电容用电极及上述像素电极之上述保护膜中 所形成的接触孔配置于偏向上述电晶体存在之侧, 同时在位于上述辅助电容用电极之上的上述像素 电极之边缘处,于跟上述接触孔存在之侧相反之侧 形成缺口部。 8.如申请专利范围第6项所述之显示装置,其中,在 由上述闸极配线及上述源极配线所区划化出的区 域内配置上述电晶体及连接于该电晶体之像素电 极,并在上述闸极配线及重叠于该闸极配线所配置 的下一段像素电极之间,配置上下夹于闸极绝缘膜 与保护膜的辅助电容用电极,且将在用以连接上述 辅助电容用电极及上述像素电极之上述保护膜中 所形成的接触孔配置于偏向上述电晶体存在之侧, 同时在位于上述辅助电容用电极之上的上述像素 电极之边缘处,于跟上述接触孔存在之侧相反之侧 形成缺口部。 图式简单说明: 第1图系表示本发明第1实施例之TFT阵列的基本结 构平面图。 第2图系表示沿第1图中之A-A线的剖面图。 第3图系表示上述第1实施例的TFT结构之模型示意 平面图。 第4图系表示上述第1实施例的TFT阵列结构之平面 图。 第5图系表示本发明第2实施例的TFT阵列之基本结 构平面图。 第6图系表示沿第1图中之B-B线的剖面图。 第7图系表示上述第2实施例的TFT结构之模型示意 平面图。 第8图系表示上述第2实施例的TFT阵列结构之平面 图。 第9图系表示本发明第3实施例的TFT结构之模型示 意平面图。 第10图系表示上述第3实施例的TFT阵列结构之平面 图。 第11图系表示习知的TFT结构之模型示意平面图。 第12图系表示跟第11图相同的平面图但不同的状态 。 第13图系表示跟第11图相同的平面图但另一不同的 状态。 |
