| 发明名称 |
Source/Drain-Struktur eines Hochspannungs-MOSFET und Verfahren zu dessen Herstellung |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE69631000(T2) |
申请公布日期 |
2004.10.21 |
| 申请号 |
DE19966031000T |
申请日期 |
1996.08.09 |
| 申请人 |
OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD. |
发明人 |
MAEKAWA, HISAYUKI |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L27/088;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/08 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
