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Ein Draht (12) wird auf einem Isolierfilm (10) auf einem Halbleitersubstrat (1) ausgebildet. Der Draht (12) wird durch einen Siliziumnitridfilm (14), einen anorganischen SOG-Film (20) und einen TEOS-Film (21) bedeckt. Ein Dünnfilmwiderstandselement (30) aus Chromsilizium (CrSi) wird auf der oberen Oberfläche des TEOS-Films (21) ausgebildet. Der spitze Winkel (Kegelwinkel), mit dem eine Linie, die die Punkte eines lokalen Maximums und eines lokalen Minimums einer Stufe auf der oberen Oberfläche des TEOS-Filmes (21) unterhalb des Bereiches, in dem das Dünnfilmwiderstandselement (30) ausgebildet ist, verbindet, die Oberfläche des Substrats (1) schneidet, wird auf 10 DEG oder weniger eingestellt.
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