| 摘要 |
In einer Halbleitervorrichtung und einem Verfahren eines Drahtkontaktierens für die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung werden ein Halbleiterchip (13) und ein Leiterrahmen (14), die in ein Gehäuse (12) einlageverkapselt sind, durch einen Goldkontaktierdraht (15) mittels eines Drahtkontaktierverfahrens miteinander verbunden, bei welchem eine Kombination eines Ultraschallwellenkontaktierens und eines thermischen Kompressionskontaktierens ausgeführt wird. Ein Vorkontaktierabschnitt wird zuerst auf einer Kontaktieroberfläche des Leiterrahmens (14) ausgebildet und dann wird der Goldkontaktierdraht (15) durch die Kombination des Ultraschallwellenkontraktierens und des thermischen Kompressionskontaktierens derart mit dem Halbleiterchip (13) und mit einem derartigen Vorkontaktierabschnitt kontaktiert, dass der Goldkontaktierdraht (15) durch den Vorkontaktierabschnitt fest mit dem Leiterrahmen (14) verbunden ist. |
