发明名称 Verfahren zum Ätzen eines Halbleitersubstrats
摘要 Ein Siliziumsubstrat (50) wird in eine Kaliumhydroxidlösung (20) eingetaucht. Danach wird eine Hauptoberfläche (51) des Siliziumsubstrats (50), das in die Kaliumhydroxidlösung eingetaucht ist, durch Anlegen eines elektrischen Potentials an das Siliziumsubstrat (50) anodisiert, wobei das Siliziumsubstrat (50) als eine Anode verwendet wird, so daß ein Oxidfilm (70) in der Hauptoberfläche (51) des Siliziumsubstrats (50) ausgebildet wird. Danach wird eine Hauptoberflächenseite (51) des Siliziumsubstrats (50) in der Kaliumhydroxidlösung geätzt.
申请公布号 DE102004014229(A1) 申请公布日期 2004.10.21
申请号 DE200410014229 申请日期 2004.03.23
申请人 DENSO CORP., KARIYA 发明人 YAMASHITA, SHUICHI
分类号 H01L21/306;H01L21/3063;H01L21/316;(IPC1-7):H01L21/302 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
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