发明名称 记录再生分离型磁头
摘要 本发明之课题是针对记录再生分离型磁头因环境温度变化产生热变形,而导致再生磁头元件朝浮动面突出。本发明用以解决课题之手段是具备:磁阻效果型磁头11,在设置于基板21的下部屏蔽23及上部屏蔽28之间,具有磁阻电阻效果膜25及电性连接于该磁阻效果膜25的一对电极26;和感应型薄膜磁头12,在该磁阻效果型磁头11的上部屏蔽28上,藉由分离膜29而设置的下部磁极31及上部磁极35之间,具有介设于磁间隙膜32及层间绝缘膜34之间的线圈33,并且,上述下部屏蔽23之膜厚与上部屏蔽28之膜厚的和设定为0.4μm以上,未满3.4μm。
申请公布号 TW200421289 申请公布日期 2004.10.16
申请号 TW092134596 申请日期 2003.12.08
申请人 日立环球储存科技股份有限公司 发明人 岩仓忠幸;丸山洋治
分类号 G11B5/39 主分类号 G11B5/39
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本