形成瓶型沟槽的方法

摘要

本发明提供一种形成瓶型沟槽的方法。本发明之主要特征之一在于以复晶矽取代知制作沟槽电容中所采用之光阻，屏除表面不易平坦的光阻，以避免知之剥除沟槽上半部光阻后会发生光阻表面与基底表面距离不易控制的问题。本发明之主要特征之二在于以沉积的方法形氮化物保护层，可容易掌控且增加其厚度，以便于进行瓶型蚀刻(bottlewetetching)时提供充足的保护，可大大地增加开口尺寸，仍使沟槽上半部不被蚀刻。