发明名称 使用第8族(VIII)二茂金属前驱物的沉积方法
摘要 本文揭示一种使用具有通式CpMCp’二茂金属或似二茂金属–前驱物制备薄膜、涂层或粉末的方法,其中M为一种选自Ru、Os和Fe的金属;Cp为一种包括至少一个取代基D1的第一取代之环戊二烯基或似环戊二烯基(例如,基)部分,其中D1为X;Ca1Hb1Xc1;Ca2Hb2Xc2(C=O)Ca1Hb1Xc1;Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1;Ca2Hb2Xc2(C=O)OCa1Hb1Xc1;或Ca2Hb2Xc2O(C=O)Ca1Hb1Xc1;和Cp’为一种包括至少一个取代基D1’的第二取代之环戊二烯基或似环戊二烯基(例如,基)部分,其中D1’为X;Ca1Hb1Xc1;Ca2Hb2Xc2(C=O)Ca1Hb1Xc1;Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1;Ca2Hb2Xc2(C=O)OCa1Hb1Xc1;或Ca2Hb2Xc2O(C=O)Ca1Hb1Xc1。D1和D1’彼此不同。X为卤素原子或NO2;a1为在1和8之间的整数;b1为在0和2(a1)+1–c1之间的整数;c1为在0和2(a1)+1–b1之间的整数;b1+c1为至少1;a2为在0和8之间的整数;b2为在0和2(a2)+1–c2之间的整数;及c2为在0和2(a2)+1–b2之间的整数。该方法可用于制造或处理电子装置。
申请公布号 TW200420745 申请公布日期 2004.10.16
申请号 TW092130099 申请日期 2003.10.29
申请人 普雷瑟科技股份有限公司 发明人 大卫 汤普森;辛西亚 胡佛;约翰 派克;麦可 里特温
分类号 C23C16/08 主分类号 C23C16/08
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国