具有多方位之绝缘层上覆矽晶片及其制作方法

摘要

本发明揭示一种具有多方位之绝缘层上覆矽晶片。在单一绝缘层上覆矽晶片上形成有多种不同方位的孤立矽层，并且将P型电晶体设置于表面方位为(110)的孤立矽层上方，将N型电晶体设置于表面方位为(100)的孤立矽层上方。如此一来，P型电晶体会具有良好之电洞迁移率，N型电晶体会具有良好之电子迁移率。本发明更揭示该具有多方位之绝缘层上覆矽晶片的制造方法。