半导体装置

摘要

本发明之目的是促成当切断形成在半导体装置之熔丝时，可以抑制对邻接之熔丝造成损坏，可以切断对象之熔丝。本发明之解决手段是一种半导体装置，其备有：下层基板；熔丝，形成在下层基板之上方，可以利用光之照射加以切断；氧化矽膜，形成在熔丝上部和露出到下层基板表面之部份之上部；和氮化矽膜，形成在氧化矽膜上；氧化矽膜使形成在上述下层基板表面之部份之膜厚，比上述熔丝厚。另外，在氮化矽膜之形成有熔丝之部份之上方，形成开口。