半导体元件接触制程及结构

摘要

一种半导体元件接触制程及结构，该半导体元件含有第一导电型之基区形成在一基底上，该制程包括在该基区表面形成一重掺杂第一导电型之第一浅层，并沉积一绝缘层再第一浅层上，蚀刻该绝缘层及该第一浅层以分割该第一浅层形成接触洞口，高温趋入以加深该第一浅层之纵向深度，于该接触洞口植入一重掺杂第二导电型之第二浅层，沉积金属层于该接触洞口以电性连接该第一浅层及第二浅层。