于半导体互连线结构上沈积一金属层之方法

摘要

本发明揭示一种用以于半导体晶圆之一互连线结构上沈积一金属层之方法。在该方法中，一金属导体系藉由一介电层覆盖。图案化该介电层以曝露该金属导体。接着于该图案之中沈积一衬层。而后氩喷溅蚀刻该衬层以移除该衬层并曝露该金属导体。在氩喷溅蚀刻方法中，将该衬层重新沈积于该图案之侧壁之上。最后，于该图案之中沈积一额外层并覆盖该重新沈积之衬层。