发明名称 改良之局部双道金属镶嵌平坦化系统、方法与设备
摘要 一种图案化的半导体基板之平坦化系统与方法,包含接收一图案化的半导体基板。该图案化的半导体基板系具有填满图案之中的复数之特征部的一导电性互连材料。该导电性互连材料系具有一表层部。该表层部系具有一局部性不均匀度。在该表层部之上形成一额外层。平坦化该额外层与该表层部。该平坦化处理系实质上完全去除该额外层。
申请公布号 TW200421548 申请公布日期 2004.10.16
申请号 TW093106648 申请日期 2004.03.12
申请人 兰姆研究公司 发明人 雪肯特P 娄荷凯;安祖D 贝利三世;大卫 韩克尔;乔M 库克
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 许峻荣
主权项
地址 美国