具有突出部分的浮动闸极式非挥发性记忆体

摘要

在一个非挥发性记忆体单元中，该浮动闸极160有一向上突出部分。该向上突出部分被形成而如同该选择闸极140的一侧壁的一间隔。该间隔可由一层160.2所形成，该160.2沉积在另一层160.1之后，该160.1层提供该浮动闸极的一低的部分。还有其他选择地，该向上突出部分及该低的部分可由相同的层或次层形成，所有的该层或次层表现于二该部分。该控制闸极170能以非黄光制程的方式定义出。其他的实施例亦被提供。