| 摘要 |
生长含应变之矽层(50)于矽锗层(40)上，且在有该含应变之矽层(50)之单一连续就地沉积制程中，生长矽锗层(52)于该含应变之矽层(50)上。在形成该含应变之矽层(50)前，形成浅沟隔离层(48)于较低之矽锗层(40)内。该两矽锗层(40，52)有效提供两层基板于该含应变之矽层(50)之两表面，用来支持该含应变之矽层(50)之拉伸应变，以及防止在制程时可能会因温度变化而形成之参差差排。因此，于给定矽锗层(40，52)之锗含量下，所生长之含应变之矽层(50)之临界厚度可有效加倍，而在随后制程时不会形成显着的参差差排。在形成该含应变之矽层(50)之前，形成该浅沟隔离层(48)可避免该含应变之矽层(50)受极端的热应力所影响而可进一步减少参差差排之形成。 |
