| 摘要 |
本发明提出一种可同时用于N–通道及P–通道快闪式记忆体之写入(programming)的方法。此一新模式系利用基极偏压增强汲极累增热电子注入方式，作为元件的写入操作，简称为SBAHE。以N–通道为例，此写入操作方式之主要特征为，具有一极低的控制闸极(control–gate)和汲极(drain)偏压，一负的基极(substrate)偏压，汲基间偏压在10伏特范围内，(闸、汲、基极压差在正、负5伏特范围内)，且源极为浮接(floating)，写入操作时无通道电流。此新写入方式已完成传统浮动闸极记忆元件结构中的测试。该操作模式的优点含：具有极低的操作偏压条件(lowvoltageoperation)、极低的功率损耗(lowpowerconsumption)、快速写入速度，以及各项优越的可靠性，如较传统方式有甚佳的汲极、闸极扰动(disturb)，资料保存能力(dataretention)及耐久性(endurance)等。 |
