发明名称 半导体记忆元件
摘要 本发明揭露一种半导体记忆元件,其包括多数个记忆胞阵列区块,此区块包括连接于多数个字元线与多数个位元线对之间的多数个记忆胞,此元件包括:每个记忆胞阵列区块包括行选择电路,其系具有多数个第一传输电晶体,其系用以在多数个位元线对中的选择位元线对与对应多数个写入控制讯号的写入位元线对间传输资料,与多数个第二传输电晶体,其系用以在选择位元线对与对应多数个读取控制讯号的感测位元线对之间传输资料,以及预充电与写入控制电路,其系用以在预充电作业期间均化对应预充电开启讯号的感测位元线对、在读取作业期间产生对应写入开启讯号的多数个读取控制讯号、预充电讯号与多数个行选择讯号,以及在写入作业期间产生对应区块选择讯号的多数个写入控制讯号、写入开启讯号、预充电开启讯号与多数个行选择讯号,因此,由于感测位元线对在写入作业期间不会被运作,所以降低了电源的消耗。
申请公布号 TW200421344 申请公布日期 2004.10.16
申请号 TW093104202 申请日期 2004.02.20
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 朴仁圭
分类号 G11C11/34 主分类号 G11C11/34
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国