减少埋层接触带外扩散之半导体结构、其制造方法以及半导体记忆体装置的形成方法

摘要

一种减少埋层接触带外扩散之半导体结构，其包括：一电晶体，包括闸极以及位于上述闸极两侧之掺杂区；一埋层接触带，相接于上述两掺杂区之一者；一沟槽，与该埋层接触带相邻；一沟槽式电容，形成于该沟槽之底部包括埋入电极板、电容介电层以及电极板；一导线结构，位于该沟槽式电容上，该导线结构包括环状绝缘层以及被环状绝缘层包围之第一导电层；一侧壁导电层，形成于该沟槽之侧壁；一第二导电层，被该侧壁导电层包围；以及一浅沟隔离结构，位于该沟槽相对于该埋层接触带之另一侧；其中该埋层接触带与沟槽中的侧壁导电层相接，且该侧壁导电层之掺杂浓度低于该第二导电层。