发明名称 具有可透过辐射之电流扩散层之发光二极体晶片
摘要 一种发光二极体晶片,其磊晶半导体层序列包含:一发出电磁辐射之活性区;一电性接触结构;一可透过辐射之电流扩散层,其含有ZnO;和一电性终端层。该电流扩散层具有一视窗,其中该终端层施加在半导体层序列之外罩层上;该终端层导电性地与电流扩散层相连接。由该终端层至该外罩层之接面在施加一种电压至该发光二极体晶片时在操作方向中未导电或只稍微导电,使全部电流或几乎全部之电流都经由该电流扩散层而流至该半导体层序列中。
申请公布号 TW200421634 申请公布日期 2004.10.16
申请号 TW092137034 申请日期 2003.12.26
申请人 欧斯朗奥托半导体股份有限公司 发明人 东尼艾布雷克特;威廉史汀;雷尔夫威斯
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 何金涂;李明宜
主权项
地址 德国
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